[发明专利]应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法

权利要求书

1.一种应用于半导体光刻工艺中的掩膜版，其特征在于，包括至少一图形组，每一所述图形组包括至少一透光区和至少一遮挡区，所述透光区和所述遮挡区间隔排列，所述遮挡区的透光率为所述透光区的透光率的0.06～0.3倍；经过曝光后，每一所述图形组在晶圆上形成一独立标记，所述独立标记为独立的整体图形且所述独立标记具有与所述图形组相同的轮廓形状，且所述独立标记内部无图案；

所述透光区的宽度与所述遮挡区的宽度满足如下公式：

PITCH≤λ/((1+σ)*NA)

其中，PITCH为所述透光区与所述遮挡区的宽度之和，λ为光刻工艺中所用波长，σ为光刻工艺中所用衍射光学元件内外径之比，NA为光刻工艺中所用数值孔径。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述图形组中的透光区和遮挡区均为矩形。

3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述透光区的长度与所述遮挡区的长度相同。

4.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述独立标记为矩形。

5.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述透光区平行设置。

6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述透光区及所述遮挡区沿水平方向、竖直方向或者与所述水平方向呈一锐角方向间隔排列。

7.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括对准图形区及芯片图形区，所述图形组设置在所述对准图形区，所述独立标记作为晶圆的对准标记。

8.根据权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述对准标记包括同一层的对准标记和层与层之间的对准标记。

9.一种光刻工艺方法，其特征在于，所述光刻工艺方法采用如权利要求1至8任一所述的掩膜版作为掩膜，以在晶圆上形成对准标记。