[发明专利]键合到支撑衬底的发光器件在审
申请号: | 202010107160.1 | 申请日: | 2012-05-22 |
公开(公告)号: | CN111509103A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | J.C.布哈特;S.阿克拉姆;D.A.斯泰格瓦德 | 申请(专利权)人: | 亮锐控股有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/60;H01L33/62;H01L23/488;H01L21/60;H01S5/022 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陈俊;陈岚 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 键合到 支撑 衬底 发光 器件 | ||
1.一种发光结构,包括:
支撑衬底,包括主体和多个延伸穿过所述主体的全部厚度的通孔;
半导体发光器件,包括夹在n型区和p型区之间的发光层,其中该半导体发光器件经由电介质键合层被键合到该支撑衬底,所述通孔也延伸穿过电介质键合层的整个厚度;以及
布置在该n型区的边缘和该半导体发光器件的边缘之间的聚合物层,
其中该支撑衬底不宽于该半导体发光器件,并且该电介质键合层与该聚合物层的材料相同,并且
其中所述n型区和所述p型区被设置为离开所述半导体发光器件的边缘。
2.根据权利要求1所述的发光结构,进一步包括布置在该n型区上的金属接触。
3.根据权利要求2所述的发光结构,其中该金属接触延伸超过该n型区的边缘上的侧壁。
4.根据权利要求2所述的发光结构,其中:
该金属接触被设置为离开该n型区的边缘;以及
反射电介质结构被布置在该n型区的外部和侧壁上。
5.根据权利要求1所述的发光结构,进一步包括被布置在该半导体发光器件上的波长转换层。
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