[发明专利]键合到支撑衬底的发光器件在审

专利信息
申请号: 202010107160.1 申请日: 2012-05-22
公开(公告)号: CN111509103A 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: J.C.布哈特;S.阿克拉姆;D.A.斯泰格瓦德 申请(专利权)人: 亮锐控股有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/60;H01L33/62;H01L23/488;H01L21/60;H01S5/022
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 陈俊;陈岚
地址: 荷兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 键合到 支撑 衬底 发光 器件
【权利要求书】:

1.一种发光结构,包括:

支撑衬底,包括主体和多个延伸穿过所述主体的全部厚度的通孔;

半导体发光器件,包括夹在n型区和p型区之间的发光层,其中该半导体发光器件经由电介质键合层被键合到该支撑衬底,所述通孔也延伸穿过电介质键合层的整个厚度;以及

布置在该n型区的边缘和该半导体发光器件的边缘之间的聚合物层,

其中该支撑衬底不宽于该半导体发光器件,并且该电介质键合层与该聚合物层的材料相同,并且

其中所述n型区和所述p型区被设置为离开所述半导体发光器件的边缘。

2.根据权利要求1所述的发光结构,进一步包括布置在该n型区上的金属接触。

3.根据权利要求2所述的发光结构,其中该金属接触延伸超过该n型区的边缘上的侧壁。

4.根据权利要求2所述的发光结构,其中:

该金属接触被设置为离开该n型区的边缘;以及

反射电介质结构被布置在该n型区的外部和侧壁上。

5.根据权利要求1所述的发光结构,进一步包括被布置在该半导体发光器件上的波长转换层。

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