[发明专利]发光装置在审
| 申请号: | 202010106931.5 | 申请日: | 2020-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN111725254A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
| 发明(设计)人: | 林小郎;蔡宗翰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
本发明公开一种发光装置,包含多个发光元件、多个颜色转换元件以及保护层。多个颜色转换元件设置在多个发光元件的至少一部分上,保护层设置在多个颜色转换元件上,其中保护层可以包含一种多层结构。
技术领域
本发明涉及一种发光装置,特别是一种可以具有无机-有机多层结构的保护层的发光装置。
背景技术
量子点(QD)材料在电子设备中的可靠性仍然还不够好。暴露于湿气或氧气下会使量子点的性能下降,并导致量子点无法正常运作。因为在各种量子点-有机发光装置结构中,对于用于量子点的保护层要求非常高,所以传统的量子点-有机发光装置(QD-OLED)结构,还不能有效地保护量子点不受损坏。
在量子点-有机发光装置的制造过程中,挑战着其对耐光性、耐热性、耐水性、耐氧性和耐化学性的要求,并且这些要求是必要的。因此,本领域目前所遭遇到的严重问题,即是各种量子点-有机发光装置结构中的量子点层,并不能被保护结构良好地保护住,而免受光、热、湿气、氧气和化学物质的损害。
发明内容
有鉴于此,本发明于是提出一种发光装置,以解决目前本领域所遭遇的技术问题。
根据本发明的一种实施例,发光装置可以包含多个发光元件、多个颜色转换元件与保护层。多个颜色转换元件可以设置在多个发光元件的至少一部分上,保护层可以设置在多个颜色转换元件上,其中保护层可以是一种多层结构。
附图说明
图1A是根据本发明的一实施例的发光装置的截面图的结构示意图。
图1B是根据本发明的第一实施例变化型的发光装置的截面图的示意图。
图1C是根据本发明的另一个第一实施例变化型的发光装置的截面图的示意图。
图2是根据本发明的另一实施例的发光装置中的像素的俯视图的示意图。
图3是根据本发明的多种变化型实施例的保护层的截面图的示意图。
图4是根据本发明的各变化型实施例的发光装置的截面图的示意图。
图5是根据本发明的另一实施例的发光装置中的多个发光元件的截面图的示意图。
图6是根据本发明的另一实施例的发光装置中的多个量子点的截面图的示意图。
图7是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
图8A是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
图8B是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
图9是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
图10A是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
图10B是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
图10C是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
图10D是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
图10E是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
图10F是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
图10G是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
图10H是根据本发明的另一实施例的发光装置的截面图的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





