[发明专利]重新布线层的制备方法及其结构

权利要求书

1.一种重新布线层的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：

提供支撑基底，并于所述支撑基底上依次形成扩散阻挡层及金属种子层；

于所述金属种子层上涂覆光刻胶层，并通过曝光、显影工艺于所述光刻胶层形成填充窗口；

采用电镀工艺于所述填充窗口的所述金属种子层上形成金属线层；

采用电镀工艺于所述金属线层上依次形成至少两层缓冲层的叠层结构，每层所述缓冲层的表面具有延伸至其内部的多个孔隙，且相邻两层所述缓冲层表面的所述孔隙的位置不相同；

采用电镀工艺于所述叠层结构上形成保护层；

去除所述光刻胶层，并去除未被所述金属线层覆盖的所述金属种子层和所述扩散阻挡层；

将键合线与所述保护层键合，进行电引出。

2.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：采用电镀工艺形成所述叠层结构时，相邻两层所述缓冲层采用的电镀工艺的电镀参数不同，以使相邻两层所述缓冲层表面的所述孔隙的位置不相同。

3.根据权利要求2所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述叠层结构包括两层所述缓冲层，电镀第一层所述缓冲采用的电流密度介于2.8ASD～3.2ASD之间，电镀时间介于100s～300s之间；电镀第二层所述缓冲层采用的电流密度介于2.3ASD～3.2ASD之间，电镀时间介于20s～120s之间。

4.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述叠层结构包括两层所述缓冲层，第一层所述缓冲层的厚度介于1μm～3μm之间，第二层所述缓冲层的厚度介于0.2μm～1.0μm之间。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：采用电镀工艺形成所述叠层结构时，在形成相邻两层所述缓冲层之间实施清洗工艺，以使相邻两层所述缓冲层表面的所述孔隙的位置不相同。

6.根据权利要求5所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述清洗工艺采用的清洗液为去离子水(DIW)。

7.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述扩散阻挡层的材料包括Ti、TiN、Ta、TaN、TiW、Cr中的一种或多种，所述金属种子层的材料包括Cu，所述金属线层的材料包括铝、铝合金、铜或铜合金，所述缓冲层的材料包括Ni，所述保护层的材料包括Au。

8.一种重新布线层，其特征在于，所述重新布线层至少包括：

扩散阻挡层，具有相对的第一面和第二面；

金属种子层，位于所述扩散阻挡层的第一面；

位于所述金属种子层上的金属线层；

位于所述金属线层上的叠层结构，所述叠层结构包括至少两层缓冲层，每层所述缓冲层的表面具有延伸至其内部的多个孔隙，且相邻两层所述缓冲层表面的所述孔隙的位置不相同；

位于所述叠层结构上的保护层；

将所述金属线层电引出的键合线。

9.根据权利要求8所述的重新布线层，其特征在于：所述叠层结构的厚度介于1.2μm～4.0μm之间。

10.根据权利要求9所述的重新布线层，其特征在于：所述叠层结构包括两层所述缓冲层，第一层所述缓冲层的厚度介于1μm～3μm之间，第二层所述缓冲层的厚度介于0.2μm～1.0μm之间。

11.根据权利要求8所述的重新布线层，其特征在于：所述扩散阻挡层的材料包括Ti、TiN、Ta、TaN、TiW、Cr中的一种或多种，所述金属种子层的材料包括Cu，所述金属线层的材料包括铝、铝合金、铜或铜合金，所述缓冲层的材料包括Ni，所述保护层的材料包括Au。

12.根据权利要求8所述的重新布线层，其特征在于：所述重新布线层还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述扩散阻挡层的第二面。

13.根据权利要求8所述的重新布线层，其特征在于：所述金属线层的厚度介于3μm～6μm之间，所述保护层的厚度介于0.1μm～1.0μm之间。