[发明专利]一种巨量转移方法

说明书

本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种巨量转移方法，其系统包括：提供一生长基底，生长基底上包括至少一个led芯片，至少一个led芯片中的每个led芯片包括第一金属接触点；将生长基底与预先准备好目标基底进行对位，使至少一个led芯片中的待转移led芯片的第一金属接触点与目标基底上的目标金属焊盘对准；利用激光对第一金属接触点进行加热，使第一金属接触点熔融后与目标金属焊盘相结合；利用激光对待转移led芯片与生长基板的接触面进行加热，使生长基底与待转移led芯片脱离。本发明在加工过程中仅需要经过一次转移，其加工过程较为简单，有效地节省了制造成本，有利于产品的大批量生产。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种巨量转移方法。

背景技术

微型发光二极管（Micro LED），即发光二极管微缩化和矩阵化技术, 其具有良好的稳定性，寿命，以及运行温度上的优势，同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点, 其具有极大的应用前景。

由微型发光二极管制作成显示屏是显示设备未来的主流发展方向；在现有的制造微型发光二极管的过程中，微型发光二极管阵列首先形成在生长基底上；然后，需要先将微型发光二极管阵列转移到载体基底中，再经由载体基底转移到接收基底中；其中，接收基底包括TFT背板。由于现有的加工方法相对复杂，其需要通过两次转移，故导致制造成本较高，不利产品的大批量生产。

发明内容

为克服上述缺陷，本发明的目的即在于提供一种操作简便的Micro LED巨量转移方法。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明是一种巨量转移方法 ，包括：

提供一生长基底，所述生长基底上包括至少一个led芯片，所述至少一个led芯片中的每个led芯片包括第一金属接触点；

将所述生长基底与预先准备好目标基底进行对位，使所述至少一个led芯片中的待转移led芯片的第一金属接触点与所述目标基底上的目标金属焊盘对准；

利用激光对所述第一金属接触点进行加热，使所述第一金属接触点熔融后与所述目标金属焊盘相结合；

利用激光对所述待转移led芯片与所述生长基板的接触面进行加热，使所述生长基底与所述待转移led芯片脱离。

在本发明中，所述利用激光对所述第一金属接触点进行加热包括：

利用第一激光对所述生长基底进行照射，使所述第一激光的光束穿过所述生长基底和所述led芯片的发光部后聚焦到所述第一金属接触点上，对所述第一金属接触点进行加热。

在本发明中，所述第一激光光束的光子能量介于所述生长基底和与所述发光部的能隙之间。

在本发明中，所述利用激光对所述待转移led芯片与所述生长基板的接触面进行加热包括：

利用第二激光对所述生长基底进行照射，使所述第二激光的光束穿过所述生长基底后聚焦到所述待转移led芯片与所述生长基板的接触面上，对所述接触面所在的发光部进行加热。

在本发明中，所述第二激光的波长为200nm-355nm。

在本发明中，所述提供一生长基底包括：

在所述生长基底上形成外延层，在所述外延层上形成第一金属接触点，对所述第一金属接触点进行图案化处理，并按所述第一金属接触点上的图案对所述外延层进行蚀刻，形成所述至少一个led芯片。

在本发明中，所述第一金属接触点中的金属材料的熔点低于所述目标金属焊盘中的金属材料的熔点。

在本发明中，所述生长基底为蓝宝石衬底，所述外延层由氮化镓组成。