[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
| 申请号: | 202010103533.8 | 申请日: | 2020-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN111613541A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
| 发明(设计)人: | 拉马肯斯·阿拉帕蒂;达雷尔·贝克;安东尼·大桂诺 | 申请(专利权)人: | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01S5/028 |
| 代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址: | 新加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
半导体装置和制造半导体装置的方法。封装电子装置结构包含具有主表面的衬底。半导体装置连接到衬底的主表面,半导体装置具有第一主表面、与第一主表面相对的第二主表面,以及在第一主表面与第二主表面之间延伸的侧表面。封装体包封半导体装置的一部分,其中半导体装置的侧表面通过封装体的侧表面暴露。在一些实例中,半导体装置的侧表面是有源表面。在一些实例中,封装体包括模制结构,模制结构接触并覆盖半导体装置的第一主表面。
本申请案主张2019年2月23日申请的第16/283,752号美国专利申请案的优先权,所述申请以引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开大体上涉及电子装置,且更确切地说,涉及半导体封装、其结构以及形成半导体封装的方法。
背景技术
先前的半导体封装以及形成半导体封装的方法是不适当的,例如,导致成本过高、热性能差、可靠性降低、性能相对低或封装尺寸太大。更具体来说,一些封装半导体装置包含例如传感器或光学装置的半导体装置,所述半导体装置需要将装置中作为有源表面的一个或多个侧表面暴露于封装的外部。此类装置包含例如激光装置,所述激光装置可以并入到光探测和测距(“LIDAR”)系统中。用于生产其中半导体装置的一个或多个侧表面暴露的封装半导体装置的前述方法产生较差结果,问题包含损坏半导体装置和导电互连件,例如,引线键合。另外,导电互连件已通过开放的侧表面或在封装的空腔内暴露于环境,从而产生可靠性问题。通过比较此类方法与本公开并参考图式,所属领域的普通技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。
因此,希望具有一种封装结构和方法,所述封装结构和方法提供一种克服现有技术的缺点的封装电子装置。还希望结构和方法容易地并入到制造流程中,容纳多种裸片互连方案并且具有成本效益。
发明内容
除了其它特征之外,本说明书包含封装电子装置结构以及相关联方法,其包括具有暴露于封闭结构的侧表面中的有源侧表面的电子装置。在一些实例中,封闭结构包括模制封装体。在其它实例中,封闭结构包括盖结构。在两个结构中,保护例如导电互连结构的元件免受环境影响,以与前述装置相比提高可靠性。封装电子装置结构可以容纳多种裸片互连方案。相关联方法可以并入到标准制造流程中,以提供节约成本的集成方案。
更具体来说,在一个实例中,用于形成封装电子装置结构的方法包括提供具有主表面的衬底。所述方法包含将第一装置附接到衬底的主表面。所述方法包括形成包封第一装置的一部分的封装体,其中第一装置的侧表面暴露于封装体外部。在一些实例中,附接第一装置包括附接半导体装置,半导体装置具有发射极区作为暴露于封装体外部的半导体装置的侧表面的一部分。在一些实例中,所述方法包含将第二装置附接到与第一装置间隔开的主表面,以在第一装置与第二装置之间提供间隙;以及形成封装体包括形成封装体,使得间隙不含封装体。在一些实例中,形成封装体包括:放置阻挡结构以包围间隙;以及将封装体模制到第一装置的至少一部分上。在一些实例中,放置阻挡结构包括放置具有跨越间隙延伸的部分的模套工具,模套工具具有安置于模套工具与第一装置和第二装置之间的保护膜。在一些实例中,第一装置包括第一半导体装置。在一些实例中,第二装置包括虚设装置。在一些实例中,第二装置包括第二半导体装置。在一些实例中,通过间隙分离衬底。在一些实例中,将第一装置电连接到衬底,其中:第一装置的侧表面包含发射极区。在一些实例中,电连接包括将导电互连结构附接到第一装置和衬底;以及形成封装体包括形成模制结构,模制结构用封装体覆盖导电互连结构。在一些实例中,形成封装体包括覆盖第一装置的至少50%的主表面。在一些实例中,形成封装体包括提供具有封装体侧表面的封装体,其中暴露第一装置的侧表面;以及封装体侧表面在截面图中具有倾斜形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





