[发明专利]一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法在审
| 申请号： | 202010103343.6 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111174931A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 丁万昱;刘智慧;刘远兵 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测量 温度 沿基片 表面 方向 梯度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法，其特征在于：在基片表面制备多层薄膜热电偶，利用多层薄膜热电偶同时进行温度测试，得到从基片表面沿法向方向不同位置的温度，进而获得温度沿基片表面法向方向的梯度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：薄膜热电偶的层数≥2层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：相邻层薄膜热电偶之间设有绝缘层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：绝缘层的绝缘电阻＞108Ω。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：测量温度范围为-200～1600℃。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：测量温度梯度的精度优于10℃/μm。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：测量温度梯度的空间分辨率等同于相邻层薄膜热电偶之间的绝缘层厚度。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：相邻层薄膜热电偶之间的绝缘层厚度为＞3μm。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：基片为绝缘材料或导电材料。
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