[发明专利]一种具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器及制作工艺有效
申请号: | 202010103144.5 | 申请日: | 2020-02-19 |
公开(公告)号: | CN111342792B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 李林萍;盛荆浩;江舟 | 申请(专利权)人: | 见闻录(浙江)半导体有限公司 |
主分类号: | H03H3/08 | 分类号: | H03H3/08 |
代理公司: | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人: | 陈远洋 |
地址: | 313000 浙江省湖州市康*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 电磁 屏蔽 结构 固态 装配 谐振器 制作 工艺 | ||
1.一种具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器,包括衬底、形成在所述衬底上的声波反射层以及形成在所述声波反射层上的谐振功能层,所述谐振功能层包括依次层叠的下电极层、压电层和上电极层,其特征在于,所述谐振器还包括形成在所述衬底上的金属屏蔽墙,所述金属屏蔽墙在所述声波反射层和所述谐振功能层的有效区域的外围形成包围圈,所述金属屏蔽墙包括第一金属屏蔽墙和第二金属屏蔽墙,所述第一金属屏蔽墙包围所述下电极层和所述声波反射层,所述第二金属屏蔽墙填充于所述压电层的被蚀刻部位,并且所述第二金属屏蔽墙与所述第一金属屏蔽墙电气连接。
2.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器,其特征在于,所述声波反射层包括交替层叠的至少两组介质反射层和金属反射层的组合。
3.根据权利要求2所述的具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器,其特征在于,所述金属屏蔽墙由与所述声波反射层和所述谐振功能层同层形成的多个金属圈层叠而成。
4.根据权利要求3所述的具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器,其特征在于,所述多个金属圈中的一个分别与所述介质反射层、金属反射层、下电极层和压电层同层形成。
5.根据权利要求4所述的具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器,其特征在于,所述金属屏蔽墙的各个金属圈电气连通。
6.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器,其特征在于,所述金属屏蔽墙为在所述声波反射层和所述下电极层的有效区域的外围一次形成的闭合金属墙。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器,其特征在于,所述衬底与所述声波反射层之间形成有一层金属屏蔽层,所述金属屏蔽墙与所述金属屏蔽层相连接并且电气导通。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器,其特征在于,所述金属屏蔽墙接地。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器,其特征在于,所述上电极层具有连接到外部的电极引线,并且在所述电极引线所在的位置处,所述金属屏蔽墙的高度不超出所述压电层。
10.根据权利要求1-6中任一项所述的具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器,其特征在于,所述谐振器的顶部具有覆盖所述上电极层的封装结构。
11.一种具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1,在第一衬底上制作压电层;
S2,在所述压电层上依次制作下电极层以及声波反射层,并且在所述下电极层和所述声波反射层周围制作第一金属屏蔽墙以包围所述下电极层和所述声波反射层的有效区域;
S3,在所述声波反射层所在的层上键合第二衬底;
S4,移除所述第一衬底以暴露所述压电层的背对所述下电极层的背面;
S5,对所述压电层的对应于所述第一金属屏蔽墙的部位进行蚀刻以暴露出所述第一金属屏蔽墙的至少部分;
S6,制作第二金属屏蔽墙以填充所述压电层的被蚀刻部位并且使得所述第二金属屏蔽墙与所述第一金属屏蔽墙电气连通;以及
S7,在所述压电层的所述背面上制作上电极层。
12.根据权利要求11所述的制作工艺,其特征在于,所述步骤S2具体包括以下子步骤:
S21,在所述压电层上制作所述下电极层,同时在所述下电极层的周围形成与所述下电极层同层并且包围所述下电极层的第一金属屏蔽圈;
S22,在所述下电极层所在的层上制作声波反射层,同时在所述第一金属屏蔽圈上形成与所述声波反射层同层并且包围所述声波反射层的第二金属屏蔽圈,所述第一金属屏蔽圈和所述第二金属屏蔽圈整体形成所述第一金属屏蔽墙。
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