[发明专利]一种基于晶圆键合形成SiO2衬底的调制器制作方法及其调制器结构

权利要求书

1.一种基于晶圆键合形成SiO2衬底的调制器制作方法，其特征在于，包括：

提供SOI晶圆和Si晶圆，在所述Si晶圆一侧制作第一凹槽，并制作SiO2衬底层填充所述第一凹槽；

将所述SOI晶圆的顶层硅一侧与所述Si晶圆填充有SiO2衬底层的一侧面对面键合，去掉所述SOI晶圆的Si衬底层和SiO2层，以制得含顶层硅的SiO2衬底晶圆；

在所述SiO2衬底晶圆的顶层硅上通过半导体工艺制作调制器波导，并在所述调制器波导上制作绝缘介质层和贯穿于绝缘介质层内并接触调制器波导重掺杂区的通孔；

在所述通孔内制作电极，形成调制器波导与外部的连接，以完成调制器的制作。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述调制器波导的制作方法包括：

1)在所述SiO2衬底层上的顶层硅区域，利用图形化工艺刻蚀一定深度的第二凹槽；

2)对具有第二凹槽的顶层硅进行离子注入和退火工艺，在所述第二凹槽之间形成波导臂，所述波导臂包含两级掺杂波导臂或者三级掺杂波导臂，以完成调制器波导的制作。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的尺寸和深度根据微波模场的尺寸而设定。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述SiO2衬底层采用化学气相淀积和化学机械抛光工艺制作而成。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述SOI晶圆的Si衬底层、SiO2层的方法包括化学机械抛光和湿法腐蚀方法中的一种或组合。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，制作的所述电极至少包含三个，包括信号电极和两个分别设于信号电极两侧的地电极。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层为SiO2绝缘层。

8.一种调制器结构，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的制作方法制备而成。