[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

多个第一管芯，并排设置；

绝缘包封体，横向密封所述第一管芯，所述绝缘包封体的一部分将所述第一管芯彼此分开；

第二管芯，设置在所述绝缘包封体的所述部分上并至少部分地重叠所述第一管芯，所述第二管芯的第二有源面面向所述第一管芯的第一有源面；

重布线结构，设置在所述绝缘包封体上并电性连接到所述第一管芯和所述第二管芯，所述重布线结构包括：

第一导通孔，设置在靠近所述第一管芯的所述重布线结构的第一层；以及

第二导通孔，设置在靠近所述第二管芯的所述重布线结构第二层，所述第二层堆叠在所述第一层上，所述第一导通孔和所述第二导通孔电性耦合并设置在所述重布线结构的区域，所述区域插设于所述第二管芯的所述第二有源面和所述第一管芯中的任一者的所述第一有源面之间，其中所述第一导通孔与所述第二导通孔错位成横向偏移；以及

多个导电端子，设置在所述重布线结构的所述第二层上并围绕所述第二管芯且所述导电端子电性连接到所述第一管芯和所述第二管芯，

其中各所述第一管芯包括设置在各所述第一管芯的所述第一有源面上的接触特征，其中位于所述重布线结构的所述区域中并与所述第二管芯重叠的相邻所述接触特征之间具有第一间距，位于所述重布线结构的所述区域之外并与所述多个导电端子重叠的相邻所述接触特征之间具有第二间距，其中所述第一间距小于所述第二间距。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二管芯的信号通过所述重布线结构的电路从所述导电端子传输或传输到所述导电端子，所述重布线结构的所述电路设置在对应于所述绝缘包封体的所述部分。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述重布线结构还包括：

第一导电接垫，设置在所述重布线结构的第一表面上，所述第一导通孔从所述第一导电接垫延伸，所述第一管芯中的所述一者安装在所述第一导电接垫上；以及

第二导电接垫，连接到所述第二导通孔并设置在与所述第一表面相对的所述重布线结构的第二表面上，所述第二管芯安装在所述第二导电接垫上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述重布线结构的所述第一层的所述第一导通孔直接连接到所述第一管芯中的所述一者的在所述第一有源面上的所述接触特征。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述重布线结构还包括：

第三导通孔，设置在所述第一层的所述第一导通孔旁边；以及

第四导通孔，设置在所述第二层的所述第二导通孔旁边，所述第三导通孔的中心基本上与所述第四导通孔的中心对齐。

6.一种半导体封装的制造方法，包括：

在重布线电路的第一表面上沿第一方向设置多个第一管芯，其中所述重布线电路包括第一导通孔以及第二导通孔，所述第一导通孔形成在靠近所述第一管芯的所述重布线电路的第一层，所述第二导通孔形成在堆叠于所述第一层上的所述重布线电路的第二层，所述第一导通孔的中心是从所述第二导通孔的中心横向偏移；

在所述重布线电路上形成绝缘包封体以密封所述第一管芯，其中所述绝缘包封体的一部分形成在相邻的所述第一管芯之间；以及

在与所述第一表面相对的所述重布线电路的第二表面上设置第二管芯，其中所述第二管芯覆盖所述绝缘包封体的所述部分并通过所述重布线电路电性耦合到所述第一管芯，其中所述第一导通孔在所述第二管芯的有源面的正投影与所述第二导通孔在所述第二管芯的所述有源面的正投影在第一方向及第二方向上皆不对齐，其中所述第一方向与所述第二方向彼此垂直。

7.根据权利要求6所述的半导体封装的制造方法，还包括：

在设置所述第二管芯之前，在所述重布线电路的所述第二表面上形成多个导电端子，其中在设置所述第二管芯之后，所述第二管芯被所述导电端子包围并通过所述重布线电路电性耦合到所述导电端子。

8.一种半导体封装的制造方法，包括：

用绝缘包封体密封多个第一管芯，其中所述绝缘包封体的一部分形成在两个所述相邻的第一管芯之间；

在所述第一管芯和所述绝缘包封体上形成重布线电路，其中所述重布线电路包括第一导通孔及第二导通孔，所述第一导通孔形成在所述重布线电路的第一层并连接到被所述绝缘包封体暴露出来的所述第一管芯的任一者的接触特征，所述第二导通孔设置在堆叠于所述第一层的所述重布线电路的第二层，所述第一导通孔的中心与所述第二导通孔的中心错开一偏移量；

在所述重布线电路的所述第二层上设置第二管芯以通过所述重布线电路电性耦合到所述第一管芯；以及

在设置所述第二管芯之前，在所述重布线电路的所述第二层上形成多个导电端子，其中在设置所述第二管芯之后，所述第二管芯被所述导电端子包围并透过所述重布线电路电性耦合到所述导电端子，

其中所述第二管芯至少部分地重叠所述第一管芯，且与所述第二管芯重叠的相邻所述接触特征之间具有第一间距，与所述多个导电端子重叠的相邻所述接触特征之间具有第二间距，其中所述第一间距小于所述第二间距。