[发明专利]一种Bi掺杂的可见到近红外的长余辉荧光材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010102324.1 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111205866A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 彭明营;熊普先;李瑗媛;刘怀陆;郑炽彬 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | C09K11/67 | 分类号： | C09K11/67;C01G35/00 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人： | 李彦孚 |
| 地址： | 529020 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 bi 掺杂 见到 红外 余辉 荧光 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种Bi掺杂的可见到近红外的长余辉荧光材料，其特征在于：以LiTaO3为基质，以Bi离子为激活离子，其化学通式为Li1-xTaO3:xBi；其中Bi离子的摩尔数x为0～0.03；Bi取代晶体中的Li；其晶体结构属于斜方晶系。
2.如权利要求1所述的Bi掺杂的可见到近红外的长余辉荧光材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、将含锂、钽和铋的化合物原料按摩尔比为Li:Ta:O:Bi＝1-x:1:3:x混合，其中x为0～0.03；
S2、将步骤S1混合的化合物原料研磨混匀后在氧化性气氛下烧结，烧结温度为1050～1090℃，烧结时间为6～10小时；随炉冷却即可得到一种Bi掺杂的可见到近红外的长余辉荧光材料。
3.如权利要求2所述的Bi掺杂的可见到近红外的长余辉荧光材料的制备方法，其特征在于:所述氧化性气氛为空气气氛或者氧气气氛。
4.如权利要求2所述的Bi掺杂的可见到近红外的长余辉荧光材料的制备方法，其特征在于:所述含锂的化合物原料为碳酸锂、氧化锂，氮化锂和碳化锂中的任意一种。
5.如权利要求2所述的Bi掺杂的可见到近红外的长余辉荧光材料的制备方法，其特征在于:所述含钽的化合物原料为氧化钽和钽粉中的任意一种。
6.如权利要求2所述的Bi掺杂的可见到近红外的长余辉荧光材料的制备方法，其特征在于:所述含铋的化合物原料为氧化铋、铋粉，硫化铋和硒化铋中的任意一种。
7.如权利要求2所述的Bi掺杂的可见到近红外的长余辉荧光材料的制备方法，其特征在于:所述烧结温度为1070℃，烧结时间为8小时。
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