[发明专利]负载开关的控制电路有效

专利信息
申请号: 202010102239.5 申请日: 2020-02-19
公开(公告)号: CN112882528B 公开(公告)日: 2022-09-30
发明(设计)人: 简铭宏;杨珮婷;李敬赞 申请(专利权)人: 杰力科技股份有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 罗英;刘芳
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 负载 开关 控制电路
【权利要求书】:

1.一种负载开关的控制电路,包括:

电荷泵电路,依据时脉信号以产生控制信号,所述负载开关依据所述控制信号以导通或断开;

振荡器,依据控制电流以产生所述时脉信号;以及

电流信号产生器,提供电阻串以接收电源电压,所述电流信号产生器的所述电阻串依据所述电源电压以产生感测电流或感测电压,所述电流信号产生器并依据所述感测电流的倒数或参考电压与所述感测电压的差的平方以产生所述控制电流,

其中,所述时脉信号的频率与所述电源电压的电压值呈负相关。

2.根据权利要求1所述的控制电路,其中所述电荷泵电路基于所述电源电压,依据所述时脉信号进行电荷泵操作以产生所述控制信号。

3.根据权利要求1所述的控制电路,其中所述电流信号产生器包括:

所述电阻串,分压所述电源电压以产生分压电压;

电压缓冲器,耦接所述电阻串,依据所述分压电压以产生所述感测电压;

电流产生器,耦接所述电压缓冲器,依据参考电压以及所述感测电压的差的平方以产生第一电流;以及

电流镜,耦接所述电流产生器,镜射所述第一电流以产生所述控制电流。

4.根据权利要求3所述的控制电路,其中所述电流产生器为晶体管,所述晶体管的第一端接收所述感测电压,所述晶体管的控制端接收所述参考电压,所述晶体管的第二端产生所述第一电流,

其中所述晶体管工作在饱和区。

5.根据权利要求3所述的控制电路,其中所述电压缓冲器为电压随耦器。

6.根据权利要求1所述的控制电路,其中所述电流信号产生器包括:

所述电阻串,依据所述电源电压以产生感测电流;

第一电流镜,镜射所述感测电流以产生第一电流;以及

倒数电流产生器,接收所述第一电流,并依据所述第一电流的倒数来产生第二电流。

7.根据权利要求6所述的控制电路,其中所述电流信号产生器还包括:

第二电流镜,接收所述第二电流,镜射所述第二电流以产生所述控制电流。

8.根据权利要求6所述的控制电路,其中所述倒数电流产生器包括:

参考电流源,提供参考电流;

第一二极管,其阳极端接收所述参考电流;

第二二极管,具有阳极端耦接所述第一二极管的阴极端,所述第二二极管的阴极端耦接至参考电压端;

第一晶体管,具有第一端接收所述电源电压,所述第一晶体管的控制端耦接至所述第一二极管的阳极,所述第一晶体管的第二端接收所述第一电流;以及

第二晶体管,具有第一端产生所述第二电流,所述第二晶体管的控制端耦接至所述第一晶体管的第二端,所述第二晶体管的第二端耦接至所述参考电压端。

9.根据权利要求8所述的控制电路,其中所述第二二极管为第四晶体管,所述第四晶体管的控制端耦接至所述第四晶体管的第一端并耦接至所述第一二极管的阴极端,所述第四晶体管的第二端耦接所述参考电压端。

10.根据权利要求6所述的控制电路,其中所述倒数电流产生器包括:

第一参考电流源,提供第一参考电流;

第一晶体管,第一端接收所述第一参考电流,所述第一晶体管的第二端耦接至参考电压端;

第二晶体管,第一端接收所述电源电压,所述第二晶体管的控制端耦接至所述第一晶体管的第一端,所述第二晶体管的第二端耦接至所述第一晶体管的控制端;

第二参考电流源,耦接在所述第一晶体管的控制端以及所述参考电压端间,用以提供第二参考电流;

第三晶体管,第一端接收所述电源电压,所述第三晶体管的控制端耦接至所述第二晶体管的控制端,所述第三晶体管的第二端接收所述第一电流;以及

第四晶体管,第一端产生所述第二电流,所述第四晶体管的控制端耦接至所述第三晶体管的第二端,所述第四晶体管的第二端耦接至所述参考电压端。

11.根据权利要求1所述的控制电路,其中所述振荡器为电流控制振荡器。

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