[发明专利]驱动背板和显示面板有效
| 申请号: | 202010099955.2 | 申请日: | 2020-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN111276497B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
| 发明(设计)人: | 黄鹏;高涛;贵炳强;詹裕程 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/121;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 武娜 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 驱动 背板 显示 面板 | ||
本发明涉及一种驱动背板和显示面板。所述驱动背板,包括:衬底、氧化物薄膜晶体管与低温多晶硅薄膜晶体管,低温多晶硅薄膜晶体管位于衬底上,氧化物薄膜晶体管位于低温多晶硅薄膜晶体管远离衬底的一侧;氧化物薄膜晶体管包括第一有源层与至少三个栅极,至少三个栅极位于第一有源层的至少一侧。根据本发明的实施例,可以提高氧化物薄膜晶体管的均一性和稳定性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种驱动背板和显示面板。
背景技术
柔性可折叠显示装置作为OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)装置发展的必然趋势,因消费者的钟爱而具有广阔的市场前景。
相关技术中,OLED的驱动背板采用LTPS(Low Temperature Poly-Silicon,低温多晶硅,又简称为p-Si)工艺制作的Poly-Si(多晶硅)作为半导体。但由于Poly-Si的漏电流较大,势必会造成显示装置的功耗增大。利用IGZO(indium gallium zinc oxide,铟镓锌氧化物)或ZnO(氧化锌)等氧化物作为有源层替换部分Poly-Si制作OLED显示装置的薄膜晶体管(简称LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide,低温多晶氧化物)技术),利用Oxide(氧化物)漏电流低的优势降低显示装置在显示时漏电的可能。
然而,LTPO技术的难点在于利用Oxide(氧化物)制备的薄膜晶体管(TFT)器件耐热性能差,在高温制程时,器件的部分点位易发生氧逸出导致器件失效,从而导致显示装置显示失效,部分TFT因Oxide中氧逸出(或氢扩散)导致器件特性严重飘逸,导致TFT的Vth(阈值电压)均一性和稳定性劣化。
发明内容
本发明提供一种驱动背板和显示面板,以解决相关技术中的不足。
根据本发明实施例的第一方面,提供一种驱动背板,包括:衬底、氧化物薄膜晶体管与低温多晶硅薄膜晶体管,所述低温多晶硅薄膜晶体管位于所述衬底上,所述氧化物薄膜晶体管位于所述低温多晶硅薄膜晶体管远离所述衬底的一侧;所述氧化物薄膜晶体管包括第一有源层与至少三个栅极,所述至少三个栅极位于所述第一有源层的至少一侧。
在一个实施例中,所述至少三个栅极中至少一个栅极位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧,至少一个栅极位于所述第一有源层靠近所述衬底的一侧。
在一个实施例中,所述至少三个栅极连接至同一条电源线。
在一个实施例中,所述氧化物薄膜晶体管还包括第一电荷屏蔽层与第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧,所述第一电荷屏蔽层位于所述第一绝缘层远离所述第一有源层的一侧。
在一个实施例中,所述至少三个栅极中包括第一栅极,所述第一栅极位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧;所述氧化物薄膜晶体管还包括第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层位于所述第一栅极与所述第一有源层之间;所述第一绝缘层的厚度大于所述第一栅极绝缘层的厚度。
在一个实施例中,所述氧化物薄膜晶体管还包括第二电荷屏蔽层与第二绝缘层,所述第二绝缘层位于所述第一有源层靠近所述衬底的一侧,所述第二电荷屏蔽层位于所述第二绝缘层靠近所述衬底的一侧。
在一个实施例中,所述至少三个栅极中包括第二栅极,所述第二栅极位于所述第一有源层靠近所述衬底的一侧;所述氧化物薄膜晶体管还包括第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层位于所述第二栅极与所述第一有源层之间;所述第二绝缘层位于所述第二栅极靠近所述衬底的一侧。
在一个实施例中,所述氧化物薄膜晶体管还包括第一源极、第一漏极与第一光阻挡层,所述第一源极、所述第一漏极位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧,所述第一光阻挡层位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧且位于所述第一源极与所述第一漏极之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





