[发明专利]氮杂环化合物、显示面板以及显示装置

说明书

本发明属于OLED技术领域并提供一种氮杂环化合物，具有化学式1所示的结构；其中，X₁和X₂各自独立地表示C或N且至少有一个为N原子；X₃～X₇分别独立地表示N或‑CR_a且X₃～X₇中1至4个为N原子；R_a选自氢、氘、Cl‑C20烷基、Cl‑C20烷氧基、Cl‑C20硫代烷基、C6‑C30芳基、或C3‑C30杂芳基；R_a独立地存在或者与相邻的碳原子形成脂肪环、芳香环或杂芳环；Ar₁和Ar₂各自独立地选自C6‑C30芳基、C3‑C30杂芳基；L₁和L₂独立地为单键、C6‑C30亚芳基、C3‑C30亚杂芳基。本发明的氮杂环化合物用作OLED的盖帽层材料时，可以获得较高的折射率，可以有效提高有机发光器件的外量子效率，且在蓝光区域(400‑450nm)具有很小的消光系数，对蓝光几乎没有吸收，有利于提升发光效率。本发明还提供一种显示面板和显示装置。

技术领域

本发明涉及有机电致发光材料技术领域，具体地涉及一种氮杂环化合物以及包含该氮杂环化合物的显示面板以及显示装置。

背景技术

OLED经过几十年的发展，已经取得了长足的进步。虽然OLED的内量子效率已经接近100％，但外量子效率却仅有20％左右。OLED发出的大部分的光由于基板模式损失、表面等离子损失与波导效应等因素被限制在发光器件内部，导致了大量能量损失。

在顶发射器件中，通过在半透明金属电极上蒸镀一层有机盖帽层(CappingLayer，CPL)，以调节光学干涉距离，抑制外光反射，抑制表面等离子体能移动引起的消光，从而提高光的取出效率，提升发光效率。

OLED对CPL材料的性能具有很高的要求：在可见光波长区域内(400nm～700nm)尽可能无吸收；高的折射率，在400nm～600nm波长范围具有小的消光系数；高的玻璃化转变温度和分子热稳定性(玻璃化转变温度高，同时允许蒸镀且不发生热分解)。

现有的CPL材料多采用芳香胺衍生物、磷氧基衍生物和喹啉酮衍生物等，兼具空穴传输和电子传输功能，一定程度上提高了光的取出效率。然而现有的CPL材料的折射率一般在1.9以下，并不能满足高折射率的要求；具有高折射率的特定结构的胺衍生物及使用符合特定参数的材料改善了光取出效率，但是没有解决发光效率低的问题(特别是对于蓝光发光元件)。现有技术的材料为了使分子的密度增加，并达到高的热稳定性，设计出的分子结构很大并且疏松，分子间不能达到紧密的堆积，从而造成在蒸镀时分子凝胶孔洞太多，覆盖紧密性不良。因此，需要开发一种新型的CPL材料，从而提升OLED器件的性能。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明的一方面提供了一种氮杂环化合物，所述氮杂环化合物具有化学式1所示的结构：

其中，X₁和X₂各自独立地表示C或N且至少有一个为N原子；X₃～X₇各自独立地表示N或-CR_a，且X₃～X₇中1至4个为N原子；R_a选自氢、氘、取代或未取代的Cl-C20烷基、取代或未取代的Cl-C20烷氧基、取代或未取代的Cl-C20硫代烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、或取代或未取代的C3-C30杂芳基；R_a独立地存在或者与相邻的碳原子形成脂肪环、芳香环或杂芳环；

Ar₁和Ar₂各自独立地选自取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基；