[发明专利]闪存数据的管理方法及装置、电梯控制器有效
申请号: | 202010099599.4 | 申请日: | 2020-02-18 |
公开(公告)号: | CN111324554B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 刘熙旺;李良;黄国苏;张永生 | 申请(专利权)人: | 日立楼宇技术(广州)有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;B66B1/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 510660 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 数据 管理 方法 装置 电梯 控制器 | ||
本发明实施例公开了一种闪存数据的管理方法及装置、电梯控制器,通过闪存的扇区数量、每个扇区的字节容量以及每条存储数据的字节数,确定该闪存中能够存储的存储数据的存储总量以及每个扇区能够存储的存储数据的存储单量,并在该闪存的所有扇区均存储有存储数据,且闪存的存储总量与预设存储总量之间的存储差值m小于一个扇区所能存储的存储数据的存储单量时,可将存储有最先存储的存储数据的首数据存储扇区中的所有存储数据均读取至运行内存中,再擦除该首数据存储扇区中的存储数据,并将运行内存中将最先存储的最多n条存储数据修改为擦除数据;此时,可修改后的运行内存中存储数据和q条新存储数据均写入至首数据存储扇区中。
技术领域
本发明实施例涉及数据存储领域,尤其涉及一种闪存数据的管理方法及装置、电梯控制器。
背景技术
随着嵌入式系统的发展和应用,大容量、读写擦除快捷、方便、简单的存储介质应运而生。其中,闪存(Falsh Memory)是一种基于半导体的存储器,具有系统掉电后仍能够保留内部信息及在线擦写等功能。
目前,闪存是嵌入式系统中的重要组成单元之一,可用于存储相应的运行程序和/或运行数据等。例如,电梯的运行控制系统中的闪存能够用于存储电梯的故障信息,以便于对电梯的故障情况进行分析确定。而闪存的数据写入可擦除并非是以单个字节为单位的,而是以闪存中固定的区块为单位的,该固定的区块即为闪存的扇区。由于闪存的写操作只能将数据从1写成0,而不同从0写成1,因此在对闪存的进行写入之前必须执行擦操作,在执行擦操作最小单位的一个扇区,即对一个扇区的所有数据均执行擦操作。
但是,由于闪存的扇区擦除寿命有次数限制,这将限制闪存的应用,因此对于如何提高现有闪存的擦写寿命,以及增大现有闪存的数据存储量是当前亟待解决的技术问题。
发明内容
针对上述存在问题,本发明实施例提供一种闪存数据的管理方法及装置、电梯控制器,以提高现有技术中闪存的擦写寿命,增大闪存的数据存储量。
第一方面,本发明实施例提供了一种闪存数据的管理方法,包括:
根据闪存的扇区数量、每个所述扇区的字节容量以及每条存储数据的字节数,在所述闪存所有扇区均存储有存储数据时,确定所述闪存存储的所述存储数据的存储总量以及每个所述扇区存储的所述存储数据的存储单量;
判断所述存储总量与所述闪存的预设存储总量之间的存储差值m是否小于所述存储单量;其中,m为自然数;
若是,则在欲将新存储数据存储至所述闪存时,将当前所述闪存各扇区中存储有最先存储的第一条存储数据的首数据存储扇区的所有存储数据读取至运行内存中;
擦除所述首数据存储扇区中的存储数据,并将所述运行内存中从最先存储的所述第一条存储数据开始至第n条存储数据的n条所述存储数据修改为擦除数据;其中,n≤m,且n为正整数;
将修改后的所述运行内存中的存储数据写入所述首数据存储扇区,并将q条所述新存储数据依次写入所述首数据存储扇区中擦除数据所在的位置;其中,q≤n,且q为正整数。
可选的,将q条所述新存储数据依次写入所述首数据存储扇区中擦除数据所在的位置,包括:
在欲将第i条所述新存储数据写入至所述首数据存储扇区时,将所述首数据存储扇区中的存储数据读取至所述运行内存中;其中,0<i≤q,且i为正整数;
在所述运行内存中将所述首数据存储扇区中第i条所述擦除数据修改为第i条所述新存储数据;
将所述运行内存中修改后的所述首数据存储扇区的存储数据覆盖写入所述首数据存储扇区中。
可选的,在擦除所述首数据存储扇区中的存储数据之前,还包括:
判断当前的时间点与上一次擦除所述首数据存储扇区中的存储数据的时间点之间的差值是否超出预设时间差;
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