[发明专利]保护半导体集成电路以防范逆向工程的方法及半导体装置

说明书

本发明提供了一种保护半导体集成电路以防范逆向工程的方法及半导体装置，使得关于运作信息的逆向工程变得困难。本发明以防范逆向工程的保护方法，生成正常运作时的期望值(S100)；监视半导体集成电路的监视地点P1、P2的电压波形(S102)；对监视的电压波形当中生成的测定值，与期望值进行比较(S104)；基于比较结果判定是否有逆向工程(S106)；以及判定为有逆向工程的情况下，使半导体集成电路执行异于正常运作的保护模式(S108)。

技术领域

本发明是关于一种保护半导体集成电路以防范逆向工程的方法。

背景技术

在快闪存储器等半导体集成电路的内部结构或内部运作中，包含了作为机密信息而应该保护的有用信息。然而，现况是这样的信息，可将半导体芯片利用逆向工程进行分析或解析，而为第三者所知悉。对此，通过在集成电路结构下功夫，以采取防范逆向工程的对策。举例来说：为了隐蔽配线的连接信息，在多层配线的上层配置假电路，使下层形成的真正电路结构难以解析；或是形成与真实的介层金属连接线(Via Contact Hall)相同形状的金属连接线，使得进行逆向工程时难以识别两者是否有连接功能(专利文献1)。又，揭示了通过变更导电遮罩(Block Mask)，利用硅化层的人造边缘(Artifact Edge)，使得装置不表现出真实结构而引起误导等范例(专利文献2)。

[先前技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]特开2003-158185号公报

[专利文献2]特开2010-118688号公报

发明内容

[发明所欲解决的课题]

如专利文献1、2所示，既有的半导体集成电路或半导体电路的逆向工程防范对策，在结构上予以变更或增加，针对有关半导体集成电路的运作信息，依旧未能找出完善的措施。举例来说，近年来的快闪存储器，为了改善像狭窄临界值的分布或者抑制干扰等存储单元的特性，而对于读出或写入双方实行复杂的动作(例如，在电压的斜率或是步阶宽度等下工夫)。因此，参与设备制造的工程师，花费了大多数的时间，为了存储单元特性的评估或其改善，而实行复杂的操作。这些复杂的操作对于设备制造业者来说，是非常有利的技术诀窍，透过针测半导体芯片的内部(例如金属配线)，复杂的运作很容易曝光，并推测出内部的运作。

本发明为解决这样的既有课题，提供一种保护方法以及半导体装置，使得有关于运作信息的逆向工程变得困难为目的。

[用以解决课题的手段]

有关本发明的保护半导体集成电路以防范逆向工程的方法，具有下列步骤：监视前述半导体集成电路预定的监视地点的电压波形的步骤；判定监视的电压波形是否符合正常运作时的期望值的步骤；以及在判定不符合前述期望值的情况下，控制前述半导体集成电路，以使前述半导体集成电路以异于正常的模式下运作的步骤。

有关本发明的半导体装置，具备保护半导体集成电路以防范逆向工程的功能，具有：生成装置，在半导体集成电路正常运作时，从监视地点得到的电压波形当中生成期望值；监视装置，监视前述监视地点的电压波形；判定装置，根据前述监视装置，判定监视的电压波形是否符合正常运作时的前述期望值；以及控制装置，在判定不符合前述期望值的情况下，控制前述半导体集成电路，以使前述半导体集成电路以异于正常的模式下运作。

[发明效果]

基于本发明，监视半导体集成电路预定的监视地点的电压波形；以及在监视的电压波形与正常运作时的期望值不符的情况下，使半导体集成电路以异于正常的模式下运作，故可以在进行逆向工程时，隐蔽与正常运作时的操作有关的信息，并且防止这种信息被轻易地解析。

附图说明

图1为关于本发明实施例的快闪存储器结构的方块图。

图2为关于第1实施例的逆向工程保护功能结构的方块图。