[发明专利]开关布置在审
| 申请号: | 202010097831.0 | 申请日: | 2020-02-17 |
| 公开(公告)号: | CN111628759A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
| 发明(设计)人: | 阳昕;马克·皮特·范德海登;赫尔本·威廉·德琼 | 申请(专利权)人: | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567;H03K17/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 开关 布置 | ||
1.一种开关布置,其特征在于,包括:
收发器节点,所述收发器节点用于耦合到收发器,所述收发器节点用于接收要发射的信令并且用于基于所述开关布置处于第一开关模式或是第二开关模式提供接收到的信令,所述收发器节点耦合到第一电路支路和第二电路支路,所述第一电路支路包括用于连接到发射路径的发射节点和用于连接到接收路径的接收节点中的一个节点,所述第二电路支路包括所述发射节点和所述接收节点中的另一个节点;
其中所述第一电路支路包括串联耦合在所述收发器节点与所述发射节点和所述接收节点中的所述一个节点之间的电感器以及耦合到所述发射节点和所述接收节点中的所述一个节点并且与其并联的第一半导体开关,并且所述第一半导体开关被配置成提供到参考电压的开关耦合;并且
其中所述第二电路支路包括以下之一:
i)第二半导体开关,所述第二半导体开关串联耦合在所述收发器节点与所述发射节点和所述接收节点中的另一个节点之间;以及第三半导体开关,所述第三半导体开关耦合到所述发射节点和所述接收节点中的所述另一个节点并且与其并联;以及
ii)第二半导体开关,所述第二半导体开关串联耦合在所述收发器节点与所述发射节点和所述接收节点中的所述另一个节点之间;放大器,所述放大器耦合到所述发射节点和所述接收节点中的所述另一个节点;以及第三半导体开关,所述第三半导体开关被配置成控制向所述放大器施加供电电压,以控制通过所述放大器将所述发射节点和所述接收节点中的所述另一个节点耦合到所述参考电压;以及
iii)放大器,所述放大器耦合到所述发射节点和所述接收节点中的所述另一个节点;以及另外的半导体开关,所述另外的半导体开关被配置成控制向所述放大器施加偏置电流,以控制通过所述放大器将所述发射节点和所述接收节点中的所述另一个节点耦合到所述参考电压;
其中在所述第一开关模式下,所述第一半导体开关断开并且由此被配置成提供与所述电感器并联的电容,并且所述第二半导体开关和所述第三半导体开关中的一个半导体开关或所述另外的半导体开关被配置成提供并联耦合在所述电感器与所述参考电压之间的电容,以基本上提供所述收发器节点与所述发射节点和所述接收节点中的所述一个节点之间的阻抗匹配;并且
其中在所述第二开关模式下,所述第一半导体开关闭合并且由此将所述电感器和所述发射节点和所述接收节点中的所述一个节点耦合到所述参考电压,并且所述第二半导体开关和所述第三半导体开关中的所述一个半导体开关或所述另外的半导体开关被配置成通过电容将所述电感器并联耦合到所述参考电压,以基本上提供所述收发器节点与所述发射节点和所述接收节点中的所述另一个节点之间的阻抗匹配。
2.根据权利要求1所述的开关布置,其特征在于,所述第二电路支路没有电感器。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的开关布置,其特征在于,
在所述第一开关模式下,所述半导体开关提供在所述第一支路和所述第二支路中形成CLC电路,所述CLC电路被配置成基本上提供所述收发器节点与所述发射节点和所述接收节点中的所述一个节点之间的阻抗匹配;并且
在所述第二开关模式下,所述半导体开关提供在所述第一支路和所述第二支路中形成并联LC储能电路,所述并联LC储能电路被配置成基本上提供所述收发器节点与所述发射节点和所述接收节点中的所述另一个节点之间的阻抗匹配。
4.根据在前的任一项权利要求所述的开关布置,其特征在于,所述第三半导体开关被配置成提供到参考电压的开关连接,并且其中在所述第一模式下,所述第三半导体开关被配置成闭合,并且在所述第二模式下,所述第三开关被配置成断开。
5.根据在前的任一项权利要求所述的开关布置,其特征在于,所述第三半导体开关包括放大器布置的一部分,并且所述第三半导体开关被配置成控制向所述放大器施加供电电压,其中在所述第一模式下,所述第三开关断开,并且所述放大器布置的放大器被配置成提供通过所述放大器到参考电压的耦合,并且其中在所述第二模式下,所述第三开关闭合,并且所述放大器提供有所述供电电压。
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