[发明专利]一种改善动态热漂移的晶振在审

专利信息
申请号: 202010096466.1 申请日: 2020-02-17
公开(公告)号: CN111162751A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 姜健伟;彭英铭;曾秋淳 申请(专利权)人: 广东惠伦晶体科技股份有限公司
主分类号: H03H9/19 分类号: H03H9/19;H03H9/13;H03H3/04
代理公司: 广东莞信律师事务所 44332 代理人: 钟宇宏
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 动态 漂移
【权利要求书】:

1.一种改善动态热漂移的晶振,该晶振包括压电元件,所述压电元件的材质为石英晶片,其特征在于:所述石英晶片的AT切割角为θ,所述θ与C1系数相对应,且C1系数满足以下频率温度特性函数条件:

f(t)=C3(t-t0)3+C2(t-t0)2+C1(t-t0)+C0

其中,f(t)为频率相对偏差,t0为温度固定值,C0为常数、是温度等于t0时的频率相对偏差值,C1为频率温度曲线在25℃和35℃之间的平均斜率、其值为-0.17~0.09,C2和C3通过C1确定。

2.根据权利要求1所述的一种改善动态热漂移的晶振,其特征在于:C1=-0.101~0.09。

3.根据权利要求2所述的一种改善动态热漂移的晶振,其特征在于:C1=0.03。

4.根据权利要求1至3任一项所述的一种改善动态热漂移的晶振,其特征在于:t0=25度,C0=0。

5.根据权利要求1所述的一种改善动态热漂移的晶振,其特征在于:还包括基座和内部引线,所述内部引线布局在基座内部,所述基座具有相背设置的第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽内设置有晶体振荡集成电路,所述压电元件设置在所述第二凹槽内,所述晶体振荡集成电路与压电元件分别电性连接内部引线。

6.根据权利要求5所述的一种改善动态热漂移的晶振,其特征在于:还包括耦合元件,所述压电元件通过耦合元件电性连接内部引线。

7.根据权利要求5所述的一种改善动态热漂移的晶振,其特征在于:所述基座的材质为陶瓷。

8.根据权利要求5所述的一种改善动态热漂移的晶振,其特征在于:还包括一封装板,所述封装板设置在所述基座的金属表面上,以密封第二凹槽及屏蔽电磁干扰。

9.根据权利要求8所述的一种改善动态热漂移的晶振,其特征在于:所述封装板与基座之间设置有起到屏蔽作用的金属环。

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