[发明专利]一种SRAM模块的电源管理系统及电源管理方法、FPGA芯片有效
申请号: | 202010095846.3 | 申请日: | 2020-02-14 |
公开(公告)号: | CN111324191B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 田磊;廖英豪 | 申请(专利权)人: | 深圳市紫光同创电子有限公司 |
主分类号: | G06F1/28 | 分类号: | G06F1/28 |
代理公司: | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人: | 赵永刚 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sram 模块 电源 管理 系统 方法 fpga 芯片 | ||
1.一种SRAM模块的电源管理系统,应用于FPGA芯片中,其特征在于,所述电源管理系统包括:
用于给所述SRAM模块供电的电源管理模块,所述电源管理模块的供电电压包括内核电压和模拟输入输出电压,所述电源管理模块包括用于判断所述内核电压及所述模拟输入输出电压是否完成上电的上电复位模块;
电源管理控制器及振荡器,用于在所述上电复位模块判断所述内核电压及所述模拟输入输出电压完成上电后,控制所述电源管理模块对所述SRAM模块上电;所述电源管理控制器及振荡器还用于在所述SRAM模块完成上电后,控制所述电源管理电路对所述SRAM模块清零。
2.如权利要求1所述的电源管理系统,其特征在于,所述SRAM模块包括SRAM阵列、字线驱动模块及位线驱动模块;
所述电源管理模块对所述SRAM模块上电具体为:
所述电源管理控制器及振荡器控制所述电源管理模块以所述内核电压对所述字线驱动模块上电;
所述电源管理控制器及振荡器在所述字线驱动模块完成上电后,控制所述电源管理模块以设定电压对所述SRAM阵列上电;其中,所述设定电压大于所述内核电压。
3.如权利要求2所述的电源管理系统,其特征在于,所述电源管理控制器及振荡器还用于对所述SRAM阵列上电完成后,对所述SRAM阵列清零前,控制所述电源管理模块上拉所述字线驱动模块的供电电压至不小于所述设定电压;
且所述电源管理模块对所述SRAM阵列清零时,所述字线驱动模块的供电电压不小于所述设定电压。
4.如权利要求3所述的电源管理系统,其特征在于,所述设定电压的大小随所述FPGA芯片的结温的升高而降低。
5.如权利要求3所述的电源管理系统,其特征在于,所述电源管理模块还包括:
供电电压为所述模拟输入输出电压的带隙基准模块,所述上电复位模块与所述带隙基准模块的输出端连接;
与所述带隙基准模块的输出端连接且用于给所述字线驱动模块供的第一LDO;
与所述带隙基准模块连接且用于给所述SRAM阵列供电的第二LDO。
6.如权利要求3~5任一项所述的电源管理系统,其特征在于,所述电源管理控制器及振荡器还用于在所述SRAM模块完成清零后,控制所述电源管理模块对所述SRAM模块编程;
且所述电源管理模块对所述SRAM模块编程时,所述字线驱动模块的供电电压不小于所述设定电压。
7.如权利要求6所述的电源管理系统,其特征在于,所述电源管理控制器及振荡器还用于在所述电源管理模块对所述SRAM模块编程后,控制所述电源管理模块对所述SRAM模块读取;
所述电源管理控制器及振荡器还用于在所述电源管理模块对所述SRAM模块编程后且读取前,控制所述电源管理模块下拉所述字线驱动模块的供电电压至所述内核电压。
8.一种FPGA芯片,其特征在于,包括:
SRAM模块;
以及如权利要求1~7任一项所述的SRAM模块的电源管理系统。
9.一种如权利要求1所述的SRAM模块的电源管理系统对应的电源管理方法,其特征在于,包括:
在所述上电复位模块判断所述内核电压及所述模拟输入输出电压完成上电后,所述电源管理控制器及振荡器控制电源管理模块对所述SRAM模块上电;
在所述电源管理模块对所述SRAM模块完成上电后,所述电源管理控制器及振荡器控制所述电源管理模块对所述SRAM模块清零。
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