[发明专利]一种基于尾电感复用方式的低相噪压控振荡器在审
申请号: | 202010095799.2 | 申请日: | 2020-02-17 |
公开(公告)号: | CN111181554A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 康凯;孔双峰;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华;余益明 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 电感 方式 低相噪 压控振荡器 | ||
1.一种基于尾电感复用方式的低相噪压控振荡器,包括:两个基波压控振荡器、尾部电感及尾部电容;其特征在于,所述两个基波压控振荡器结构完全相同,且两个基波压控振荡器中交叉耦合管对的共源结点直接相连;所述尾部电感与尾部电容并联后一端连接于所述共源结点,另一端接地。
2.按权利要求1所述基于尾电感复用方式的低相噪压控振荡器,其特征在于,所述基波压控振荡器包括:交叉耦合管对、电容、两个电感及变容管;其中,交叉耦合管对由第一NMOS管、第二NMOS管构成,所述第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极,第一N MOS管的漏极连接第二NMOS管的栅极,第一NMOS管与第二NMOS管的源极相连、作为共源结点;所述两个电感串联后连接于第一NMOS管与第二NMOS管的漏极之间,且两个电感中间接电源;电容及变容管分别连接于第一NMOS管与第二NMOS管的漏极之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010095799.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。