[发明专利]一种增强PERC背钝化效果的电池制作方法有效
| 申请号: | 202010095381.1 | 申请日: | 2020-02-17 | 
| 公开(公告)号: | CN111276569B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 | 
| 发明(设计)人: | 唐超宛;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 | 
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;何键云 | 
| 地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 增强 perc 钝化 效果 电池 制作方法 | ||
本发明公开了一种增强PERC背钝化效果的电池制作方法,其中,制作方法包括打孔、清洗制绒、扩散、正面激光、刻蚀、退火、背面沉积钝化层、正面沉积氮化硅膜、背面开槽、丝网印刷、烧结退火的步骤;本发明在清洗制绒前先在硅片的背面形成若干个孔洞,使背面沉积钝化层时钝化层不仅覆盖在硅片上,还填充到孔洞内,不仅可以增加钝化层的面积,相同的镀膜时间内,沉积的钝化层含量和致密性都会增加,从而提高背钝化效果,提升太阳能电池的转换效率。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种增强PERC背钝化效果的电池制作方法。
背景技术
近些年来,钝化发射极和背面电池(PERC)是光伏产业的研究重点之一。提高PERC电池效率的有效途径之一就是优化其表面钝化工艺。目前,针对PERC 电池背面的钝化工艺主要采用Al2O3/Si3N4叠层膜结构进行钝化。钝化分为化学钝化和体钝化,化学钝化主要利用Al2O3/Si3N4叠层膜中的氢原子去钝化硅基表面的悬挂键,从而降低表面态密度,减少载流子在硅片表面的复合。体钝化主要利用Al2O3表面带负电荷的性质,来吸引硅片产生的空穴,并阻碍电子的传入,达到载流子有效分离并抑制复合的作用。通过这两方面的钝化能有效增加载流子的传输寿命,提高短路电流以及开路电压,从而提高PERC电池的光电转换效率。
如何在现有研究基础上进一步优化背表面钝化效果,制成更高转换效率的 PERC电池是我们亟待研究和探索的方向。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种增强PERC背钝化效果的电池制作方法,有效提高电池的钝化效果,提高电池的光电转换效率。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种增强PERC背钝化效果的电池制作方法,其特征在于,包括:
(1)在硅片背面形成若干个孔洞,所述孔洞的直径为20~80μm,所述孔洞的深度为硅片厚度的3%~8%,孔洞的总面积为硅片面积的0.5%~5%;
(2)采用清洗制绒工艺对硅片进行清洗;
(3)在硅片表面进行磷扩散;
(4)对硅片正面进行激光重掺杂;
(5)对硅片背面进行刻蚀;
(6)对硅片进行退火处理;
(7)在步骤(6)得到的硅片背面沉积钝化层,所述钝化层覆盖在硅片的背面并填充到孔洞内,所述钝化层包括Al2O3层和Si3N4层;
(8)在硅片正面沉积氮化硅膜;
(9)对硅片背面进行激光开槽;
(10)在硅片背面印刷背电极和背电场;正面印刷正电极;
(11)将步骤(10)得到的硅片进行高温烧结,得到PERC电池成品。
作为上述方案的改进,步骤(1)中,采用激光对硅片的背面进行雕刻,雕刻速度为4500~5000mm/s,激光频率为40~50kHz。
作为上述方案的改进,步骤(1)中,采用皮秒激光对硅片的背面进行雕刻,激光波长为532nm。
作为上述方案的改进,步骤(7)中,所述Al2O3层的厚度为5~10nm,所述 Si3N4层的厚度为90~105nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司,未经浙江爱旭太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010095381.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
 
- 专利分类
 
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





