[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明公开案揭露了一种半导体结构及其制造方法，其具有衬底；设置在衬底上的信号线结构；设置在衬底上的隔离物；以及设置在信号线结构和隔离物之间的气隙。所述气隙具有第一区域和在第一区域下方的第二区域。第一区域的宽度不同于第二区域的宽度。

技术领域

本公开总体上涉及半导体结构，并且更具体地，涉及具有气隙的半导体结构。

背景技术

当制造高度集成的半导体结构时，在相邻层之间产生寄生电容。因此，半导体结构的性能和可靠性会 降低。为了减小寄生电容的影响 ，可以在相邻层之间插入低K材料或等效材料(例如，气隙)，以有效地进一步减小相邻层之间的寄生电容。然而，产生具有嵌入式气隙的结构有时会带来挑战。一方面，在随后的沉积工艺中可能会无意中填充半导体结构中先前产生的空隙，从而破坏了先前产生空隙的努力。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种半导体结构及其制造方法，以解决上述技术问题。

一种半导体结构，其包括：具有多个主动区的衬底；隔离结构，其设置在相邻的一对所述主动区之间；绝缘层，其设置在相邻的一对所述主动区之间的所述隔离结构上；布置在所述主动区上的信号线结构；绝缘衬层，其共形地形成在所述信号线结构的侧壁上；侧壁间隔物，其布置在所述绝缘衬层上方并分别在所述信号线结构的两侧；设置在相邻所述侧壁间隔物之间的隐埋触点与焊盘；和帽衬层，其位于所述侧壁间隔物中的相应一者上方，并与所述焊盘的侧面接触；其中，在所述信号线结构和所述侧壁间隔物之间形成有气隙，其中，所述气隙具有漏斗形的截面形状。

一种形成半导体结构的方法，其包括：提供具有主动区域的衬底；在所述主动区域之间形成隔离结构；在所述衬底上形成绝缘层；在所述衬底的主动区上形成信号线结构；在所述信号线结构的侧壁上形成第一隔离物和第二隔离物；在所述衬底上形成与所述主动区域电性连接的隐埋接触；在所述信号线结构和所述隐埋触点上方形成焊盘；移除所述第一间隔物；在相邻所述焊盘之间形成牺牲填充物；在所述牺牲填充物上形成帽衬层；和去除所述牺牲填充物以形成气隙，该气隙具有漏斗形状。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1示出了根据本公开的一些实施例的形成半导体结构的方法的流程图；

图2A-2H示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构制造过程的截面图；

图3示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的截面图。

然而，要注意的是，随附图式仅说明本案之示范性实施态样并因此不被视为限制本案的范围，因为本案可承认其他等效实施态样。

主要元件符号说明

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

以下描述将参考附图以更全面地描述本发明。附图中所示为本公开的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的示例性实施例。提供这些示例性实施例是为了使本公开透彻和完整，并且将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。类似的附图标记表示相同或类似的组件。