[发明专利]集成电路版图的设计方法有效
申请号: | 202010093226.6 | 申请日: | 2020-02-14 |
公开(公告)号: | CN111259617B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 曹云 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 版图 设计 方法 | ||
1.一种集成电路版图的设计方法,其特征在于,包括:
第一步骤:提供第一电路布图层、第二电路布图层至第n电路布图层,其中,所述第一电路布图层上设计有第一电路结构,所述第二电路布图层上设计有第二电路结构,以及所述第n电路布图层上设计有第n电路结构;
第二步骤:提供一基版;
第三步骤:在所述基版上利用快捷键调用第m电路布图层,并根据金属线最小间隔的设计规则在所述第m电路布图层的第m电路结构的侧边添加高亮区;
第四步骤:在远离所述第m电路结构的所述高亮区侧调用第m’电路布图层上的第m’电路结构;
第五步骤:重复所述第三步骤和所述第四步骤直至集成电路版图的设计完成;
第六步骤:清除所述基版上的所有的高亮区;
其中,n为大于或者等于2的正整数,m和m’均为小于或者等于n的正整数。
2.根据权利要求1所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,所述第m电路结构内部、所述第m’电路结构内部以及所述第m电路结构和所述第m’电路结构之间均满足金属线最小间隔的设计规则。
3.根据权利要求2所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,所述第m电路结构内部、所述第m’电路结构内部以及所述第m电路结构和所述第m’电路结构之间的金属线最小间隔均为0.3μm。
4.根据权利要求1所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,所述快捷键包括:第一按键,第二按键至第p按键,其中,p为大于或者等于2的正整数。
5.根据权利要求4所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,在所述第三步骤中,利用第r按键调用第m电路布图层,其中,r为小于或者等于p的正整数。
6.根据权利要求4所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,在所述第四步骤中,利用第s按键调用所述第m’层电路布图层上的所述第m’电路结构,其中,s为小于或者等于p的正整数。
7.根据权利要求4所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,在所述第三步骤中,利用第a按键添加所述高亮区,其中,a为小于或者等于p的正整数。
8.根据权利要求4所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,在所述第六步骤中,利用第b按键清除所述基版上的所述高亮区,其中,b为小于或者等于p的正整数。
9.根据权利要求1所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,所述第一电路布图层、所述第二电路布图层至所述第n电路布图层均满足重复调用的要求。
10.根据权利要求1所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,所述高亮区满足多次添加和多处添加的要求。
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