[发明专利]半导体装置用接合线有效
| 申请号： | 202010092527.7 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111276460B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 山田隆;小田大造;榛原照男;宇野智裕 | 申请（专利权）人： | 日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨光军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
1.一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，
所述接合线含有选自Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度合计为0.1质量ppm以上且100质量ppm以下，Sb≤10质量ppm、Bi≤1质量ppm，并且相对于线整体含有选自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的至少1种以上的元素分别为0.011质量％以上且1.2质量％以下。
2.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于线整体，选自Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素的浓度合计为0.5质量ppm以上且100质量ppm以下。
3.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于线整体，选自Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素的浓度合计为1质量ppm以上且100质量ppm以下。
4.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于线整体，选自Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素的浓度合计为2质量ppm以上且100质量ppm以下。
5.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于线整体，选自Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素的浓度合计为80质量ppm以下。
6.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还含有选自As、Te、Sn中的至少1种以上的元素，相对于线整体，选自Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素和选自As、Te、Sn中的至少1种以上的元素的浓度合计为100质量ppm以下，Sn≤10质量ppm。
7.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于线整体，选自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的至少1种以上的所述元素的浓度分别为0.030质量％以上。
8.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于线整体，选自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的至少1种以上的所述元素的浓度分别为0.050质量％以上。
9.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于线整体，选自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的至少1种以上的所述元素的浓度分别为0.070质量％以上。
10.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Pd被覆层的厚度为0.015μm以上且0.150μm以下。
11.根据权利要求10所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Pd被覆层的厚度为0.02μm以上。
12.根据权利要求10所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Pd被覆层的厚度为0.03μm以上。
13.根据权利要求10所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Pd被覆层的厚度为0.100μm以下。
14.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述Pd被覆层上还具有包含Au和Pd的合金表皮层。
15.根据权利要求14所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述包含Au和Pd的合金表皮层的厚度为0.0005μm以上且0.050μm以下。
16.根据权利要求15所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述包含Au和Pd的合金表皮层的厚度为0.001μm以上。
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