[发明专利]一种基于化学气相沉积制备具有光电响应的二硒化铌纳米片阵列的方法

权利要求书

1.一种基于化学气相沉积制备具有光电响应的二硒化铌纳米片阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)以氧化硅片作为基底，对基底进行清洗后，再放入臭氧中处理30分钟；

2)用氩气对管式炉进行清洗以确保反应过程无氧气掺入，然后通氩气使管式炉内维持常压；将0.1g～0.2g五氧化二铌粉末和0.02g～0.05g氯化钠混合后置于第一石英舟中，将氧化硅片倒置在第一石英舟的中央上方，然后再将第一石英舟放入管式炉的中央加热区；将1g～2g硒粉置于第二石英舟中，然后再放入管式炉内，并位于第一石英舟的上游；

3)将管式炉升温至850～900℃，然后将氩气换为氩氢混合气，常压下保温生长2～30分钟；

4)生长完成后，打开炉盖快速冷却，并将氩氢混合气再换为氩气；冷却至室温后，取出，即获得生长有二硒化铌纳米片阵列的氧化硅片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1)中，所述清洗是依次通过丙酮、乙醇和去离子水进行清洗。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2)中第二石英舟距离第一石英舟的位置，应保证在步骤3)中，当第一石英舟所在位置加热至850～900℃时，第二石英舟所在位置处的温度为450～500℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3)中，管式炉的升温速率为12℃/min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3)中，氩氢混合气中氢气的体积百分比为10％，氩氢混合气的通入流量为100sccm。