[发明专利]一种显示屏及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 202010091730.2 | 申请日: | 2020-02-13 |
公开(公告)号: | CN111276525B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 郝艳军;李彦松;杜小波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K59/60 | 分类号: | H10K59/60;H10K59/12;H10K71/00;H01L31/028 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;冯建基 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示屏 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示屏及其制备方法和显示装置。该显示屏包括有机电致发光显示面板和设置在显示面板显示侧的太阳能电池,太阳能电池位于显示面板的非显示区,太阳能电池包括上电极和下电极,太阳能电池还包括由非晶硅层与非晶锗化硅层构成的叠层结构,叠层结构设置于上电极和下电极之间。该显示屏通过设置由非晶硅层和非晶锗化硅层构成的叠层结构,能够有效降低显示面板非显示区内整个可见光波段的全反射率,由于显示面板的非显示区作为主要的降反射区域,所以能够大大降低整个显示屏对环境光的反射率,提升显示屏的显示效果。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示屏及其制备方法和显示装置。
背景技术
AMOLED显示屏上面集成太阳能电池实现低功耗,减小整机体积;并且太阳能电池结构取代原来设置在显示屏上的降低反射率的偏光片实现整个模组厚度降低。但现有的非晶硅薄膜太阳能电池结构,由于非晶硅薄膜主要吸收波长480nm左右的光能,降反射效果不是很理想,如图1所示为现有的非晶硅薄膜太阳能电池降反射的谱图,其中,Mo-aSi代表下电极Mo上沉积a-Si;MoT-aSi代表下电极Mo上沉积图案化的a-Si。针对这一问题,目前有待寻找新的降反射方案。
发明内容
本发明针对现有非晶硅薄膜太阳能电池降显示屏反射效果不理想的问题,提供一种显示屏及其制备方法和显示装置。该显示屏能够有效降低显示面板非显示区内整个可见光波段的全反射率,从而大大降低整个显示屏对环境光的反射率,提升显示屏的显示效果。
本发明提供一种显示屏,包括有机电致发光显示面板和设置在所述显示面板显示侧的太阳能电池,所述太阳能电池位于所述显示面板的非显示区,所述太阳能电池包括上电极和下电极,所述太阳能电池还包括由非晶硅层与非晶锗化硅层构成的叠层结构,所述叠层结构设置于所述上电极和所述下电极之间。
可选地,所述叠层结构包括I型非晶硅层和I型非晶锗化硅层,所述I型非晶硅层和所述I型非晶锗化硅层相互叠置。
可选地,所述叠层结构还包括P型非晶硅层和N型非晶锗化硅层;
所述P型非晶硅层、所述N型非晶锗化硅层、所述I型非晶硅层和所述I型非晶锗化硅层相互叠置。
可选地,沿远离所述显示面板的方向,所述P型非晶硅层、所述I型非晶硅层、所述I型非晶锗化硅层和所述N型非晶锗化硅层依次排布。
可选地,沿远离所述显示面板的方向,所述P型非晶硅层、所述I型非晶锗化硅层、所述I型非晶硅层和所述N型非晶锗化硅层依次排布。
可选地,所述叠层结构还包括P型非晶锗化硅层和N型非晶硅层;
所述P型非晶锗化硅层、所述N型非晶硅层、所述I型非晶硅层和所述I型非晶锗化硅层相互叠置。
可选地,沿远离所述显示面板的方向,所述P型非晶锗化硅层、所述I型非晶锗化硅层、所述I型非晶硅层和所述N型非晶硅层依次排布。
可选地,沿远离所述显示面板的方向,所述P型非晶锗化硅层、所述I型非晶硅层、所述I型非晶锗化硅层和所述N型非晶硅层依次排布。
本发明还提供一种显示装置,包括上述显示屏。
本发明还提供一种上述显示屏的制备方法,包括制备有机电致发光显示面板,在所述显示面板的显示侧制备太阳能电池,所述太阳能电池形成于所述显示面板的非显示区,制备所述太阳能电池包括先后形成下电极和上电极,制备所述太阳能电池还包括,在形成所述下电极之后且形成所述上电极之前形成由非晶硅层与非晶锗化硅层构成的叠层结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010091730.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。