[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质

说明书

本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本发明解决的课题是提高卤素系原料的吸附性而在低温形成高品质膜。本发明的半导体装置的制造方法具有：(a)将基板搬入处理室的工序、(b)向基板供给含有含H₂O自由基的处理气体的工序、(c)在(b)工序之后，供给含卤素元素的气体的工序、(d)在(c)工序之后，供给含有氧元素和氮元素的任一者或两者的气体的工序和(e)反复进行(c)工序和(d)工序的工序。

技术领域

本公开涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。

背景技术

作为半导体装置的制造工序的一个工序，在对基板供给氧(O₂)气体和氢(H₂)气体来对基板表面进行前处理之后，通过进行预定次数的包括对基板供给原料气体的工序和供给反应气体的工序的循环，从而进行在基板上形成硅氧化膜(SiO膜)等膜的处理(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-216342号公报

发明内容

发明要解决的课题

具有氨基配体的处理气体的耐热温度低，在高温时会分解。因此，在使用具有氨基配体的处理气体在高纵横比的基板上形成阶梯被覆性良好的膜时，需要降低处理温度。此外，为了在低温形成高品质膜，氧化种必须为高能量。但是，在使用氧等离子体时，不能到达高纵横比的底部，在使用臭氧(O₃)时，由于O₃与壁的冲突而丧失活性，因而难以在低温形成高品质膜。

本公开的目的是提供一种能够提高卤素系原料的吸附性而在低温形成高品质膜的技术。

解决课题的方法

根据本公开的一方式，提供一种半导体装置的制造方法，具有：(a)将基板搬入处理室的工序，(b)向基板供给含有含H₂O自由基的处理气体的工序，(c)在(b)工序之后，供给含卤素元素的气体的工序，(d)在(c)工序之后，供给含有氧元素和氮元素的任一者或两者的气体的工序，(e)反复进行(c)工序和(d)工序的工序。

发明效果

根据本公开，能够提高卤素系原料的吸附性而在低温形成高品质膜。

附图说明

[图1]是适合用于本公开的一个实施方式的基板处理装置的概略构成图，是以纵截面来显示处理炉部分的图。

[图2]是适合用于本公开的一个实施方式的基板处理装置的控制器的概略构成图，是以框图显示控制器的控制系统的图。

[图3]是显示本公开的一个实施方式的基板处理工序的流程图。

[图4]是显示本公开的一个实施方式的亲水化处理的流程图。

[图5](A)是用于说明亲水化处理后的晶圆表面状态的图，(B)是用于说明在通过供给SiCl₄气体而暴露前的晶圆表面状态的图，(C)是用于说明在通过供给SiCl₄气体而暴露后的晶圆表面状态的图。

[图6](A)是用于说明在通过供给O₃气体而暴露前的晶圆表面状态的图，(B)是用于说明在通过供给O₃气体而暴露后的晶圆表面状态的图，(C)是用于说明通过本基板处理工序而在晶圆上形成了SiO膜的状态的图。

[图7]是显示本公开的一个实施方式的亲水化处理的变形例的流程图。

[图8]是显示对作为亲水化处理所使用的气体的评价结果进行比较的图。

符号说明