[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第1导电型的SiC层；

选择性地形成在所述SiC层上的电极；以及

形成在所述SiC层上的绝缘物，

所述绝缘物包含以从所述电极的下方朝向设定在所述SiC层的端部的切割区域延伸的方式配置的电极下绝缘膜及覆盖该电极下绝缘膜并且以既定的范围（A）与所述SiC层相接触地配置的有机绝缘层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

还包括多晶硅电阻，该多晶硅电阻隔在所述电极与形成在所述SiC层的半导体元件构造之间，且比所述电极更靠所述SiC层侧地配置。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述有机绝缘层与所述SiC层相接触的既定的范围（A）为40μｍ。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述电极下绝缘膜上的所述电极的端部与直至所述有机绝缘层和所述SiC层相接触的部分的横向的距离（B）为40μm。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述SiC层形成MOSFET作为半导体元件构造，

所述电极包含与所述MOSFET的源极电连接的源极电极、和与所述MOSFET的栅极电连接的栅电极。

6.如权利要求1、2及5中任一项所述的半导体装置，其中，

在所述SiC层形成肖特基势垒二极管作为半导体元件构造，

所述电极包含构成所述肖特基势垒二极管的一部分的肖特基电极。

7.如权利要求1、2及5中任一项所述的半导体装置，其中，

所述有机绝缘层的端面从所述SiC层的端面离开。

8.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述MOSFET具有平面栅构造。

9.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述MOSFET具有沟槽栅构造。

10.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述既定的范围（A）比所述电极下绝缘膜的厚度大。

11.一种半导体装置，包括：

SiC半导体层；

多个晶体管单元，该多个晶体管单元形成在所述SiC半导体层，且根据既定的控制电压进行导通/截止控制；

控制电极，该控制电极与导通时形成有通道的所述晶体管单元的通道区域对置；以及

控制焊盘，该控制焊盘为与外部电连接而从形成在最表面的表面绝缘膜露出，且与所述控制电极物理分离但与所述控制电极电连接，

在所述控制焊盘的表面，选择性地形成有从所述表面绝缘膜露出而连接接合引线的第一引线区域，

在所述晶体管单元的上方，配置有与所述晶体管单元连接且与所述控制焊盘不同的电极焊盘，

在所述电极焊盘的表面，选择性地形成有从所述表面绝缘膜露出而连接接合引线的第二引线区域，

所述半导体装置具有以从所述电极焊盘的下方朝向设定在所述SiC半导体层的端部的切割区域延伸的方式配置的电极下绝缘膜。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，

包括覆盖所述电极下绝缘膜的有机绝缘层。

13.如权利要求11或12所述的半导体装置，其中，

所述电极下绝缘膜并未到达所述切割区域。