[发明专利]一种键合结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010088771.6 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111244057B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 胡杏;刘天建;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘晓菲 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种键合结构，其特征在于，包括：
第一晶圆，所述第一晶圆上形成有第一混合键合结构，所述第一混合键合结构包括第一介质键合层以及第一导电键合垫；
与所述第一晶圆正面键合的第二晶圆，所述第二晶圆正面上形成有互连结构和所述互连结构上的第二混合键合结构，所述第二混合键合结构包括第二介质键合层以及第二导电键合垫，所述第一晶圆和第二晶圆通过所述第一混合键合结构和第二混合键合结构相互键合；
从所述第二晶圆的背面形成与所述互连结构电连接的衬垫，其中，在所述衬垫下方，所述互连结构与所述第二导电键合垫在水平方向上错开设置；
所述互连结构中相邻层的互连层中的槽孔交错分布。
2.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，所述互连结构中相邻层的过孔交错分布。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的键合结构，其特征在于，所述衬垫形成于所述第二晶圆所在衬底的开口中。
4.根据权利要求1-2中任一项所述的键合结构，其特征在于，所述衬垫形成于第二晶圆所在衬底的开口中，并覆盖第二晶圆的部分背面。
5.一种键合结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圆，所述第一晶圆上形成有第一混合键合结构，所述第一混合键合结构包括第一介质键合层以及第一导电键合垫；
提供第二晶圆，所述第二晶圆正面上形成有互连结构和所述互连结构上的第二混合键合结构，所述第二混合键合结构包括第二介质键合层以及第二导电键合垫；
通过所述第一混合键合结构和第二混合键合结构，将所述第二晶圆正面键合至所述第一晶圆；
从所述第二晶圆的背面形成且与所述互连结构电连接的衬垫，其中，在所述衬垫下方，所述互连结构与所述第二导电键合垫在水平方向上错开设置；
所述互连结构中相邻层的互连层中的槽孔交错分布。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述互连结构中相邻层的过孔交错分布。
7.根据权利要求5-6中任一项所述的制造方法，其特征在于，从所述第二晶圆的背面形成且与所述互连结构电连接的衬垫，包括：
从所述第二晶圆所在衬底中形成开口；
在所述开口中形成与所述互连结构电连接的衬垫。
8.根据权利要求5-6中任一项所述的制造方法，其特征在于，从所述第二晶圆的背面形成且与所述互连结构电连接的衬垫，包括：从所述第二晶圆所在衬底中形成开口；在所述开口中形成与所述互连结构电连接的衬垫，所述衬垫并覆盖第二晶圆的部分背面。
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