[发明专利]电介质组合物和电子部件

说明书

本发明提供一种电介质组合物，其包含由通式A_aB_bC₄O_15+α表示的具有钨青铜结构的复合氧化物作为主要成分，A至少包含Ba，B至少包含Zr，C至少包含Nb，a为3.05以上，b为1.01以上。在该电介质组合物中，当将占据钨青铜结构的M2位点的原子总数设为1时，B所占的比例为0.250以上。另外，在该电介质组合物中，钨青铜结构的(410)面的X射线衍射峰分裂成2个，表示X射线衍射峰的高角度侧峰的积分强度相对于X射线衍射峰的低角度侧峰的积分强度的积分强度比率为0.125以上。

技术领域

本发明涉及一种电介质组合物以及具备由该电介质组合物构成的电介质层的电子部件。

背景技术

在内置于电子设备的电子电路或电源电路中，多数安装有如利用电介质表现的介电特性的层叠陶瓷电容器之类的电子部件。作为构成这样的电子部件的电介质的材料(电介质材料)，钛酸钡类的电介质组合物被广泛使用。

然而，近年来，电子部件的用途扩大，例如，寻求电子部件即使在高温或高电压的环境下也充分地发挥作用。但是，在这样的环境下，钛酸钡类的电介质组合物的介电特性降低，钛酸钡类的电介质组合物无法充分地应对该环境。因此，正在寻求即使在这样的用途中也能够发挥高的介电特性的电介质组合物。

在专利文献1中，作为钛酸钡类电介质组合物以外的电介质组合物，公开了一种在由通式Ba₆Ti₂Nb₈O₃₀表示的铁电材料中将Ba、Ti和Nb的一部分用其它的元素取代的电介质组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平3-274607号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

对电介质材料，要求介电特性(例如，相对介电常数)高。介电特性是以绝缘体为前提的特性。因此，要求电介质材料具有高的电阻率，以使电介质组合物不会半导体化或导体化。

本发明鉴于这种现状，其目的在于提供一种能够维持电阻率，并且提高相对介电常数的电介质组合物，以及具备由该电介质组合物构成的电介质层的电子部件。

用于解决技术问题的技术手段

为了达到上述目的，本发明的电介质组合物为：

[1]一种电介质组合物，其特征在于，

包含由通式A_aB_bC₄O_15+α表示的复合氧化物作为主要成分，

A至少包含钡，B至少包含锆，C至少包含铌，

a为3.05以上，b为1.01以上，

复合氧化物具有钨青铜结构，

在钨青铜结构中，当将占据M2位点的原子的总数设为1时，B所占的比例为0.250以上。

[2]根据[1]所述的电介质组合物，其特征在于，

B所占的比例为0.400以上。

[3]一种电介质组合物，其特征在于，

包含由通式A_aB_bC₄O_15+α表示的复合氧化物作为主要成分，

A至少包含钡，B至少包含锆，C至少包含铌，

a为3.05以上，b为1.01以上，