[发明专利]存储器结构

说明书

本公开提供一种存储器结构及其形成的方法。本公开的存储器结构包括一底部介质层、从该底部介质层垂直延伸的一栅极结构、一堆叠结构，以及延伸于该栅极结构与该堆叠结构之间的一介质层。该堆叠结构包括一第一硅化物层、一第二硅化物层、延伸于该第一硅化物层与该第二硅化物层之间的一氧化物层、覆盖该氧化物层与延伸于该第一与第二硅化物层之间的一通道区，以及覆盖该第二硅化物层的一隔离层。该第一与第二硅化物层包括钴、钛、钨、或钯。

技术领域

本公开涉及一种存储器结构，特别是涉及一种快闪存储器结构及其形成 方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit：IC)已历经了指数式的成长。在集 成电路的材料与设计上的技术进步已经产生的几代的IC，并且每一代的IC 都比上一代小且更为复杂。在IC的发展进程中，功能密度(例如每个晶片 区域内的互连装置数)通常会增加，而几何尺寸(例如可使用制造程序所制 造的最小元件(或线段))会减小。上述的尺寸缩减过程通常提供了增加生 产效率及降低相关制程成本的益处。这样的尺寸缩减过程也增加了处理及制 造IC的复杂度。为了实现上述的进展，需要在IC加工和制造方面有新的发 展。

例如快闪存储器装置已发展为包括由薄膜堆叠层形成的三维可堆叠式 结构。由于能适应于高温的特性，钨已经被使用在上述薄膜堆叠中。因为钨 能在高的制程温度时被氧化，在薄膜堆叠中使用钨需要各种阻挡层和保护 层，以保护钨层免受氧化。上述各种阻挡层和保护层的应用，同时是钨层氧 化的适当解决方案，亦增加了用于形成该快闪存储器装置的薄膜堆叠层及制 造流程的复杂度。因此，尽管常见的半导体装置已经普遍地用于其预期目的， 但是它们并非在各个方面都令人满意。

发明内容

依据本公开的一种存储器结构，包括一底部介质层、从该底部介质层垂 直延伸的一栅极结构、包括多个存储器薄膜堆叠层的一堆叠结构、以及延伸 于该栅极结构与该堆叠结构之间的一介质层。所述存储器薄膜堆叠层的每一 者包括一第一硅化物层、一第二硅化物层、沿着一第一方向延伸于该第一及 第二硅化物层之间的一氧化物层、覆盖该氧化物层与沿着该第一方向延伸于 该第一与第二硅化物层之间的一通道区，以及沿着该第一方向覆盖该第二硅 化物层的一隔离层。

附图说明

图1为根据本公开实施例的一堆叠结构的剖面图。

图2为根据本公开实施例的另一堆叠结构的剖面图。

图3揭示在一工件上用于制造一半导体装置的方法的流程图。

图4A至图10A揭示当工件包括相似于图1的堆叠结构的一堆叠结构时 方法的操作。

图4B至图10B揭示当工件包括相似于图2的堆叠结构的一堆叠结构时 方法的操作。

其中，附图标记说明如下：

10:堆叠结构

11:替代堆叠结构

102:底部介质层

104A-1:第一硅化物层

104A-2:第二硅化物层

104B-1:第三硅化物层

104B-2:第四硅化物层

104C-1:第五硅化物层

104C-2:第六硅化物层

104D-1:第七硅化物层

104D-2:第八硅化物层

106A-1:第一多晶半导体层

106A-2:第二多晶半导体层

106B-1:第三多晶半导体层