[发明专利]三维闪存及其阵列布局结构在审

专利信息
申请号: 202010087087.6 申请日: 2020-02-11
公开(公告)号: CN112038345A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 吕函庭;陈威臣;叶腾豪;李冠儒 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/11519 分类号: H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 三维 闪存 及其 阵列 布局 结构
【说明书】:

发明公开了一种三维闪存及其阵列布局结构。所述三维闪存包括栅极叠层结构、环状的通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱以及电荷存储结构。所述栅极叠层结构设置于介电衬底上,且包括彼此电性绝缘的多个栅极层。所述环状的通道柱设置所述介电衬底上,且贯穿所述栅极叠层结构。所述第一源极/漏极柱与所述第二源极/漏极柱设置所述介电衬底上,且位于所述通道柱中并贯穿所述栅极叠层结构,其中所述第一源极/漏极柱与所述第二源极/漏极柱彼此分隔开且各自与所述通道柱连接。所述电荷存储结构设置于所述多个栅极层中的每一者与所述通道柱之间。

技术领域

本发明是有关于一种三维闪存及其阵列布局,且特别是有关于一种三维闪存及其阵列布局结构。

背景技术

非易失性存储器(例如闪存)由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点,因此成为个人计算机和其他电子设备所广泛采用的一种存储器。

目前业界较常使用的三维闪存包括或非门(NOR)闪存以及与非门(NAND)闪存。此外,另一种三维闪存为与门(AND)闪存,其可应用在多维度的闪存阵列中而具有高集成度与高面积利用率,且具有操作速度快的优点。因此,三维闪存的发展已逐渐成为目前的趋势。

发明内容

本发明提供一种三维闪存,其中环状的通道柱设置于栅极叠层结构中,且两个源极/漏极柱设置通道柱中并与通道柱连接。

本发明提供一种三维闪存阵列布局结构,其包括上述的三维闪存。

本发明的三维闪存包括栅极叠层结构、环状的通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱以及电荷存储结构。所述栅极叠层结构设置于介电衬底上,且包括彼此电性绝缘的多个栅极层。所述环状的通道柱设置所述介电衬底上,且贯穿所述栅极叠层结构。所述第一源极/漏极柱与所述第二源极/漏极柱设置所述介电衬底上,且位于所述通道柱中并贯穿所述栅极叠层结构,其中所述第一源极/漏极柱与所述第二源极/漏极柱彼此分隔开且各自与所述通道柱连接。所述电荷存储结构设置于所述多个栅极层中的每一者与所述通道柱之间。

在本发明的三维闪存的一实施例中,所述第一源极/漏极柱与所述第二源极/漏极柱之间设置有绝缘柱。

在本发明的三维闪存的一实施例中,所述第一源极/漏极柱与所述第二源极/漏极柱各自包括中央部分以及围绕所述中央部分的周边部分,且所述中央部分的掺杂浓度大于所述周边部分的掺杂浓度。

在本发明的三维闪存的一实施例中,所述第一源极/漏极柱与所述第二源极/漏极柱各自包括中央部分以及围绕所述中央部分的周边部分,且所述中央部分包括金属硅化物(metal silicide)层。

在本发明的三维闪存的一实施例中,还包括设置于所述介电衬底中的第一内埋柱与第二内埋柱,其中所述第一内埋柱与所述第一源极/漏极柱连接,且所述第二内埋柱与所述第二源极/漏极柱连接。

在本发明的三维闪存的一实施例中,所述电荷存储结构覆盖所述多个栅极层中的每一者的上表面与下表面。

在本发明的三维闪存的一实施例中,所述电荷存储结构覆盖所述通道柱的外表面。

在本发明的三维闪存的一实施例中,所述通道柱在其延伸方向上为连续的。

在本发明的三维闪存的一实施例中,所述通道柱在其延伸方向上为不连续的,且所述通道柱仅与所述多个栅极层中的每一者的位置对应。

在本发明的三维闪存的一实施例中,所述通道柱包括多个部分,所述多个部分在所述通道柱的延伸方向上依序排列且彼此不接触,且所述多个部分各自与所述多个栅极层中的一个的位置对应。

在本发明的三维闪存的一实施例中,还包括第一晶体管与第二晶体管,其中所述第一晶体管与所述第一源极/漏极柱电性连接,且所述第二晶体管与所述第二源极/漏极柱电性连接。

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