[发明专利]一种半导体器件的缺陷检查方法、装置和可读存储介质

权利要求书

1.一种半导体晶圆缺陷的检查方法，用于确定在采用DUV光或电子束能量射线对所述半导体晶圆进行光刻时的缺陷检查频率；其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：接收所述半导体晶圆曝光图形的工序信息、掩模图形信息和/或与所述半导体晶圆具有相同的曝光图案并经相同的工序处理后的晶圆的缺陷检查频率的信息；

步骤S2：确定所述半导体晶圆曝光图形的缺陷检查位置，模拟并统计所述半导体晶圆曝光图形在所述工序信息条件下所导致的波动几率，和/或所述半导体晶圆曝光图形在所述掩模图形信息条件下所导致的波动几率；

步骤S3：根据所述波动几率的合成值，设定对所述半导体晶圆曝光图形的缺陷检查频率。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆缺陷检查的方法，其特征在于，在步骤S3后还包括：

步骤S4：根据所述缺陷检查频率，对所述缺陷检查位置上的所述半导体晶圆曝光图形的部分或全部进行缺陷检查。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆缺陷检查的方法，其特征在于，所述的工序信息包括曝光工序中的射线能量、曝光量、抗刻蚀剂材料的感光机制、吸收系数、构成抗刻蚀剂的材料种类、抗刻蚀剂各自的分子量和/或抗刻蚀剂膜厚。

4.根据权利要求3所述的半导体晶圆缺陷检查的方法，其特征在于，所述抗刻蚀剂材料包括酸催化型抗蚀材料。

5.根据权利要求4所述的半导体晶圆缺陷检查的方法，其特征在于，所述的酸催化型抗蚀材料包括化学增幅型抗刻蚀剂、基底树脂、感光剂的PAG和/或淬灭剂。

6.根据权利要求3所述的半导体晶圆缺陷检查的方法，其特征在于，所述抗刻蚀剂材料包括金属氧化物抗刻蚀剂或主链断裂型抗蚀剂。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆缺陷检查的方法，其特征在于，所述掩模图形信息为掩模图形的尺寸和/或掩模图形的位置坐标。

8.一种半导体晶圆缺陷检查装置，用于确定在采用DUV光或电子束能量射线对所述半导体晶圆进行光刻时的缺陷检查频率；其特征在于，包括：

输入模块，用于接收所述半导体晶圆曝光图形的工序信息、掩模图形信息和/或与所述半导体晶圆具有相同的曝光图案并经相同的工序处理后的晶圆的缺陷频率的信息；

统计模块，用于确定所述半导体晶圆曝光图形的缺陷检查位置，模拟并统计所述半导体晶圆曝光图形在所述工序信息条件下所导致的波动几率，和/或所述半导体晶圆曝光图形在所述掩模图形信息条件下所导致的波动几率；

确定模块，根据所述波动几率的合成值，设定对所述半导体晶圆曝光图形的缺陷检查频率。

9.根据权利要求8所述的半导体晶圆缺陷检查的装置，其特征在于，还包括：

执行模块，根据所述缺陷检查频率，对所述缺陷检查位置上的所述半导体晶圆曝光图形的部分或全部进行缺陷检查。

10.一种可读存储介质，存储有可执行指令，该可执行指令用于执行如权利要求1～7任一项所述的半导体晶圆缺陷的检查方法。