[发明专利]一种气流调控下的介质阻挡放电特性的测量系统和方法有效

专利信息
申请号: 202010082835.1 申请日: 2020-02-07
公开(公告)号: CN111273135B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 田晓煜;孟永鹏;杨鑫;马延昊;王威;吴锴 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 李晓晓
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 气流 调控 介质 阻挡 放电 特性 测量 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种气流调控下的介质阻挡放电特性的测量系统,其特征在于,包括DBD发生装置、实验腔体(10)、气流控制系统、电源系统以及光学测量系统(7);其中,DBD发生装置设置在实验腔体(10)内;

DBD发生装置包括DBD平板电极单元和电流测量单元;其中,DBD平板电极单元与电流测量单元相连;

DBD平板电极单元包括上电极、绝缘介质和气隙垫片(15);

上电极包括高压电极(12);上电极还包括绝缘托盘(13),高压电极(12)内嵌在绝缘托盘(13)中;

绝缘托盘(13)直径为110mm,高压电极(12)为直径为60mm的铜电极;高压电极(12)表面进行打磨处理;

绝缘介质包括第一石英玻璃(14)和第二石英玻璃(16),其中,第一石英玻璃(14)覆盖于上电极表面,第二石英玻璃(16)中心镀有ITO镀层(19),第一石英玻璃(14)和第二石英玻璃(16)之间设置气隙垫片(15);气隙垫片(15)两侧开口,气隙垫片(15)形状为扇环形;

电源系统包括高频等离子体发生电源(1)、示波器(4)以及数字延时发生器(5);高频等离子体发生电源(1)与DBD发生装置(2)相连,DBD发生装置(2)与示波器(4)相连,示波器(4)与高频等离子体发生电源(1)相连;

高频等离子体发生电源(1)还与数字延时发生器(5)相连,数字延时发生器(5)与光学测量系统(7)相连;

第二石英玻璃(16)上设置有电流测量单元;

气流控制系统用于调控高压电极(12)表面气流流速;

气流控制系统包括气瓶(8),气流流量控制仪(9),气流喷嘴(3)以及孟氏洗瓶(11);其中,气瓶(8)出口经气流流量控制仪(9)与气流喷嘴(3)相连;气流喷嘴(3)设置于实验腔体(10)内;孟氏洗瓶(11)通过气管连接在实验腔体(10)的出气阀门处;

气流喷嘴(3)前部为扁长型中空设计,尺寸与气隙垫片(15)的开口大小一致,气流喷嘴(3)的前部中间气缝宽度为3mm,缝长60mm,与DBD发生装置的气隙垫片(15)的开口相嵌,尾部通过气管与法兰内部的进气口连接;

电流测量单元包括地电极(17)、绝缘层(22)和测量电极(20),其中,绝缘层(22)套装在测量电极(20)外侧,地电极(17)套装在绝缘层(22)外侧,在测量电极(20)和地电极(17)之间跨接4个中心对称的测量电阻(18);测量电极(20)设置在第二石英玻璃(16)上,地电极(17)通过测量电阻(18)与测量电极(20)相连;

光学测量系统(7)包括第一ICCD相机(28),第二ICCD相机(29),分光棱镜(27)和中继镜头(26),电源系统产生的光路(25)经中继镜头(26)进入分光棱镜(27),经分光棱镜(27)分为两路,一路进入第一ICCD相机(28),另一路进入第二ICCD相机(29);

第一ICCD相机(28)和第二ICCD相机(29)的像素为1024×1024、单个像素尺寸为13μm,最短曝光时间为2 ns,感光范围为200~900 nm。

2.根据权利要求1所述的一种气流调控下的介质阻挡放电特性的测量系统,其特征在于,第一石英玻璃(14)和第二石英玻璃(16)的介电常数均为3.6。

3.根据权利要求1所述的一种气流调控下的介质阻挡放电特性的测量系统,其特征在于,ITO镀层(19)的直径为60mm,透光率为90%,电阻率为8Ω/m2

4.根据权利要求1所述的一种气流调控下的介质阻挡放电特性的测量系统,其特征在于,气隙垫片(15)厚度为3mm,材质为尼龙。

5.根据权利要求1所述的一种气流调控下的介质阻挡放电特性的测量系统,其特征在于,气流喷嘴(3)采用尼龙材质。

6.根据权利要求1所述的一种气流调控下的介质阻挡放电特性的测量系统,其特征在于,高频等离子体发生电源(1)的电压在0~10kV的范围内,中心频率为20kHz,能够产生频率在10~46kHz的范围内可调的高电压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010082835.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top