[发明专利]一种氢气探测器探测浓度范围和灵敏度的调控方法

权利要求书

1.一种氢气探测器探测浓度范围和灵敏度的调控方法，其特征在于，在氢气探测器的制备过程中，通过改变氧化物半导体薄膜的退火气氛调控氢气探测器的探测浓度范围和灵敏度；所述退火气氛包括氧气、空气、真空或氢气。

2.根据权利要求1所述的调控方法，其特征在于，所述氧化物半导体薄膜包括但不限于二氧化钛薄膜、二氧化锡薄膜、氧化锌薄膜、氧化钨薄膜或氧化镍薄膜。

3.根据权利要求1所述的调控方法，其特征在于，所述氢气探测器的制备过程包括以下步骤：

(1)利用磁控溅射法在衬底表面制备籽晶层，然后在空气气氛中退火；

(2)使用水热法在退火后的籽晶层表面制备氧化物半导体薄膜，然后对氧化物半导体薄膜进行退火；所述退火的气氛包括氧气、空气、真空或氢气；

(3)使用磁控溅射法在退火后的氧化物半导体薄膜表面制备叉指电极，得到氢气探测器。

4.根据权利要求3所述的调控方法，其特征在于，所述对氧化物半导体薄膜进行退火的温度为200～600℃，时间为20～120min。

5.根据权利要求1或3所述的调控方法，其特征在于，所述氢气探测器探测浓度范围的调控范围为50ppb～2％，1ppm氢气浓度下灵敏度的调控范围为1％～80％。

6.根据权利要求5所述的调控方法，其特征在于，当所述氧化物半导体薄膜的退火气氛为氧气时，所得氢气探测器的探测浓度为1ppm～4000ppm或1ppm～20000ppm，在1ppm氢气浓度下的灵敏度为1～5％。

7.根据权利要求5所述的调控方法，其特征在于，当所述氧化物半导体薄膜的退火气氛为空气时，所得氢气探测器的探测浓度为1ppm～2000ppm，在1ppm氢气浓度下的灵敏度为3～10％。

8.根据权利要求5所述的调控方法，其特征在于，当所述氧化物半导体薄膜的退火气氛为真空时，所得氢气探测器的探测浓度为1ppm～800ppm，在1ppm氢气浓度下的灵敏度为20～40％。

9.根据权利要求5所述的调控方法，其特征在于，当所述氧化物半导体薄膜的退火气氛为氢气时，所得氢气探测器的探测浓度为1ppm～400ppm或53ppb～800ppm，在1ppm氢气浓度下的灵敏度为30～70％。