[发明专利]ScAlMgO4

权利要求书

1.一种ScAlMgO₄单晶基板，其中，通过使用电感耦合等离子体发射光谱分析法进行分析而得的结晶中的氧浓度为57原子％以下。

2.根据权利要求1所述的ScAlMgO₄单晶基板，其为结晶生长用的基板，且具有下述式中的σ满足5.0N/mm²以上的曲率半径R和厚度t_s，

σ＝(E_f×t_f²)×10³/(6×(1-v_f)×R×t_s)

上述式中，E_f表示要结晶生长的膜的杨氏模量，v_f表示要结晶生长的膜的泊松比，t_f表示要结晶生长的膜的厚度，

其中，R的单位为m，t_s的单位为m，E_f的单位为GPa，t_f的单位为m。

3.根据权利要求2所述的ScAlMgO₄单晶基板，其中，所述要结晶生长的膜为GaN。

4.一种ScAlMgO₄单晶基板的制造方法，其是权利要求1或2所述的ScAlMgO₄单晶基板的制造方法，其具有以下工序：

使晶种接触ScAlMgO₄所示的单晶基板的原料熔液而生成结晶的引晶工序；以及

对通过所述引晶工序而生成的所述结晶进行提拉从而培育单晶体的结晶培育工序，

在所述结晶培育工序中，在氧浓度为0.1体积％以下的气氛下将所述结晶从所述熔液中进行提拉。

5.根据权利要求4所述的ScAlMgO₄单晶基板的制造方法，其中，在所述结晶培育工序中，将所述熔液的液面正下方的温度梯度设为4.4℃/mm以上。