[发明专利]放大接口以及用于校正放大接口的对应测量系统和方法

权利要求书

1.一种放大接口，包括：

第一FET，具有连接到第一节点的漏极端子以及连接到第三节点的源极端子；

第二FET，具有连接到第二节点的漏极端子以及连接到所述第三节点的源极端子；

第一偏置电流发生器，被配置为向所述第一节点施加第一偏置电流；

第二偏置电流发生器，被配置为向所述第二节点施加第二偏置电流；

第三FET，具有连接到所述第三节点的漏极端子以及连接到参考电压的源极端子；

调节电路，被配置为驱动所述第三FET的栅极端子，以便将所述第一节点处的共模电压和所述第二节点处的共模电压调节到给定值；

至少一个电流发生器，被配置为向所述第一节点和所述第二节点中的一个节点施加校正电流；以及

差分电流积分器，包括连接到所述第二节点的第一输入端子和连接到所述第一节点的第二输入端子，其中所述差分电流积分器被配置为经由两个输出端子提供输出电压，所述输出电压指示第一输出电流与第二输出电流之差的积分，所述第一输出电流从所述第二节点在所述差分电流积分器的所述第一输入端子处被接收，所述第二输出电流从所述第一节点在所述差分电流积分器的所述第二输入端子处被接收。

2.根据权利要求1所述的放大接口，其中所述调节电路被配置为驱动所述第三FET的所述栅极端子，使得：

(V_O1P+V_O1N)/2＝V_CM1，

其中V_O1P与所述第一节点处的电压相对应，V_O1N与所述第二节点处的电压相对应，并且V_CM1与所述给定值相对应。

3.根据权利要求1所述的放大接口，其中所述差分电流积分器包括差分运算放大器，所述差分运算放大器包括：

第一电容器，连接在所述差分运算放大器的第一输出端子与所述第一输入端子之间；以及

第二电容器，连接在所述差分运算放大器的第二输出端子与所述第二输入端子之间。

4.根据权利要求3所述的放大接口，其中所述差分电流积分器还包括分别与所述第一电容器和所述第二电容器并联连接的第一电子开关和第二电子开关，其中所述第一电子开关和所述第二电子开关经由复位信号而被驱动。

5.根据权利要求4所述的放大接口，还包括采样保持电路，所述采样保持电路被配置为：

当控制信号具有第一逻辑值时，存储所述输出电压；以及

当所述控制信号具有与所述第一逻辑值不同的第二逻辑值时，维持所述输出电压。

6.根据权利要求5所述的放大接口，包括控制电路，所述控制电路被配置为：

生成所述复位信号，使得使所述差分电流积分器周期性地在复位间隔期间被复位、并且在测量间隔期间被激活；以及

在每个测量间隔期间，在采样间隔内将所述控制信号设置为所述第一逻辑值，并且在保持间隔内将所述控制信号设置为所述第二逻辑值。

7.根据权利要求6所述的放大接口，还包括具有电容器和电阻器的RC振荡器，所述电容器和所述电阻器限定所述RC振荡器的振荡周期，并且其中所述控制电路被配置为生成所述控制信号，使得所述采样间隔与所述RC振荡器的所述振荡周期的倍数相对应。

8.根据权利要求1所述的放大接口，其中所述第一偏置电流和所述第二偏置电流与绝对温度成比例(PTAT)。

9.根据权利要求1所述的放大接口，其中所述第一FET和所述第二FET包括n沟道MOS晶体管。

10.根据权利要求1所述的放大接口，其中所述第一FET和所述第二FET是热隔离晶体管，并且其中所述第一FET和所述第二FET的栅极端子连接到另一参考电压。