[发明专利]一种紧缩场反射面边齿及设计方法

权利要求书

1.一种紧缩场反射面边齿设计方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、确定所需紧缩场反射面静区尺寸及工作频率，并设计至少三种具有不同类型边齿的反射面；

S2、对各反射面分别进行仿真，并在其静区前、中、后三个位置分别得到幅度和相位的仿真数据，进而确定各反射面之中静区纵向一致性最佳的反射面及静区横向一致性最佳的反射面；

S3、结合静区纵向一致性最佳的反射面及静区横向一致性最佳的反射面的边齿类型设计优化反射面，并确定其边齿的各项可调节参数；

S4、对于优化反射面边齿的各项可调节参数分别进行优化，得到优化反射面边齿的具体数值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述步骤S1中，设计的反射面包括直角三角形边齿反射面、余弦边齿反射面和拐角直边齿反射面。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述步骤S3中，设计优化反射面，并确定其边齿的各项可调节参数时，所述可调节参数包括底边宽度、顶尖距离、拐点间距以及拐点高度中的一个或多个。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：

所述步骤S4中对于优化反射面边齿的各项可调节参数分别进行优化时，从中心向外侧，各边齿的底边宽度呈等差数列或等比数列排布。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述步骤S4中对于优化反射面边齿的各项可调节参数分别进行优化时，从中心向外侧，各边齿的顶尖距离呈等差数列排布。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：

所述步骤S4中对于优化反射面边齿的各项可调节参数分别进行优化时，各边齿拐点间距为该边齿底边宽度一半加设定待优化值。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述步骤S4中对于优化反射面边齿的各项可调节参数分别进行优化时，从中心向外侧，各边齿的拐点高度呈等差数列排布。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述步骤S1中，设计的反射面的口面尺寸范围为25λ～30λ，其中边齿长度范围为3λ～5λ，λ表示最低工作频率对应的电磁波波长。

9.一种紧缩场反射面边齿，其特征在于：基于如权利要求1-8任一项所述的紧缩场反射面边齿设计方法获得。

10.一种紧缩场反射面，其特征在于：具有如权利要求9所述的紧缩场反射面边齿。