[发明专利]氮化物荧光体的制造方法和氮化物荧光体在审
| 申请号: | 202010080439.5 | 申请日: | 2020-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN111548794A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
| 发明(设计)人: | 渡边浩之;铃木茂之;细川昌治 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张毅群 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氮化物 荧光 制造 方法 | ||
本发明提供一种耐久性优异的氮化物荧光体的制造方法和氮化物荧光体。一种氮化物荧光体的制造方法,其包括:准备荧光体芯粒子的步骤,所述荧光体芯粒子具有包含Sr、Ca、Eu、Al、Si和N的组成,且将上述组成中的Al的摩尔比设为1时,Sr的摩尔比在0.45以上且1.1以下的范围内,Ca的摩尔比在超过0且小于0.55的范围内,Eu的摩尔比在超过0且为0.033以下的范围内,Sr、Ca与Eu的总摩尔比为1.1以下,Si的摩尔比在0.81以上且1.21以下的范围内,N的摩尔比在2.25以上且3.85以下的范围内;使尿素、硅酸盐、水与上述荧光体芯粒子发生接触,以70℃以上且150℃以下的范围内的温度进行第一热处理的步骤;以及将进行了上述第一热处理的荧光体芯粒子以350℃以上且600℃以下的范围内的温度进行第二热处理的步骤。
技术领域
本发明涉及氮化物荧光体的制造方法和氮化物荧光体。
背景技术
将发光二极管(Light Emitting Diode、以下也称为“LED”)、激光二极管(LaserDiode、以下也称为“LD”)与荧光体组合而成的发光装置被广泛地应用于照明装置、液晶显示装置的背光等,并逐渐普及。作为发光装置所使用的氮化物荧光体,已知例如专利文献1公开的(Sr,Ca)AlSiN3:Eu。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2015/001860号
发明内容
发明要解决的课题
对于氮化物荧光体而言,寻求进一步改善耐久性。
因而,本发明的一个方式的目的在于,获得耐久性优异的氮化物荧光体。
用于解决课题的手段
本发明包括以下的方式。
本发明的第一方式是一种氮化物荧光体的制造方法,其包括:准备荧光体芯粒子的步骤,所述荧光体芯粒子具有包含Sr、Ca、Eu、Al、Si和N的组成,且将上述组成中的Al的摩尔比设为1时,Sr的摩尔比在0.45以上且1.1以下的范围内,Ca的摩尔比在超过0且小于0.55的范围内,Eu的摩尔比在超过0且为0.033以下的范围内,Sr、Ca与Eu的总摩尔比为1.1以下,Si的摩尔比在0.81以上且1.21以下的范围内,N的摩尔比在2.25以上且3.85以下的范围内;使尿素、硅酸盐、水与上述荧光体芯粒子发生接触,以70℃以上且150℃以下的范围内的温度进行第一热处理的步骤;以及将进行了上述第一热处理的荧光体芯粒子以350℃以上且600℃以下的范围内的温度进行第二热处理的步骤。
本发明的第二方式是一种氮化物荧光体,其包含荧光体芯粒子且在荧光体芯粒子的表面自荧光体芯粒子一侧起依次包含第一膜和第二膜,所述荧光体芯粒子具有包含Sr、Ca、Eu、Si、Al和N的组成,且将上述组成中的Al的摩尔比设为1时,Sr的摩尔比在0.45以上且1.1以下的范围内,Ca的摩尔比在超过0且小于0.55的范围内,Eu的摩尔比在超过0且为0.033以下的范围内,Sr、Ca与Eu的总摩尔比为1.1以下,Si的摩尔比在0.81以上且1.21以下的范围内,N的摩尔比在2.25以上且3.85以下的范围内,所述第一膜包含选自Sr、Ca、Eu、Si和Al中的至少1种元素和氧,所述第二膜至少包含Si。
发明的效果
根据本发明的一个方式,能够获得耐久性优异的氮化物荧光体。
附图说明
图1为氮化物荧光体的制造方法的流程图。
图2为氮化物荧光体的制造方法的流程图。
图3为示出实施例1和比较例1所述的氮化物荧光体的发光光谱的图。
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