[发明专利]掩模组件

说明书

提供了一种掩模组件，所述掩模组件包括：框架，其中限定有开口；支撑部分，位于框架上并与开口叠置；以及掩模，位于支撑部分上并覆盖开口的至少一部分。支撑部分可以包括：中心层；第一外层，位于中心层的第一表面上；以及第二外层，位于中心层的第二表面上，第二表面与第一表面相对。

本申请要求于2019年2月7日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0014491号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开的实施例的方面涉及一种掩模组件和一种制造该掩模组件的方法。

背景技术

显示装置可以包括多个像素。多个像素中的每个可以包括设置在相对的电极之间的发射层(或发光层)。发射层可以通过各种方法中的至少一种形成。例如，发射层可以通过使用掩模的沉积方法形成。然而，在使用掩模形成发射层的工艺中，支撑掩模的支撑部分的形状会变形，以造成发射层的沉积可靠性降低。

发明内容

根据本公开的实施例的方面，提供了一种能够改善沉积可靠性的掩模组件。根据本公开的实施例的另一方面，提供了一种能够减小形状由于温度的变形的掩模组件。

根据本公开的实施例的另一方面，提供了一种制造能够改善沉积可靠性的掩模组件的方法。

根据发明构思的一个或更多个实施例，一种掩模组件可以包括：框架，其中限定有开口；支撑部分，位于框架上并与开口叠置；以及掩模，位于支撑部分上并覆盖开口的至少一部分。支撑部分可以包括：中心层；第一外层，位于中心层的第一表面上；以及第二外层，位于中心层的第二表面上，第二表面与第一表面相对。

在实施例中，第一表面可以与第一外层直接接触，并且第二表面可以与第二外层直接接触。

在实施例中，中心层可以与第一外层金属接合，并且中心层可以与第二外层金属接合。

在实施例中，中心层可以包括与第一外层和第二外层不同的材料，并且第一外层和第二外层可以包括相同的材料。

在实施例中，中心层的热膨胀系数可以与第一外层的热膨胀系数不同。

在实施例中，中心层的磁力可以比第一外层和第二外层中的每个外层的磁力大。

在实施例中，中心层可以包括因瓦合金，并且第一外层和第二外层中的每个外层可以包括不锈钢。

在实施例中，支撑部分可以设置为多个支撑部分，并且所述多个支撑部分可以在第一方向上延伸并可以在与第一方向交叉的第二方向上布置。

在实施例中，支撑部分可以设置为多个支撑部分，所述多个支撑部分中的一些支撑部分可以在第一方向上延伸并可以在与第一方向交叉的第二方向上布置，并且所述多个支撑部分中的其他支撑部分可以在第二方向上延伸并可以在第一方向上布置。

在实施例中，掩模可以设置为多个掩模，所述多个掩模可以在第一方向上延伸并可以在第二方向上布置，并且多个开口图案可以限定在每个掩模中。

在实施例中，框架和掩模中的每者可以包括因瓦合金。

在实施例中，支撑部分可以具有相对于中心层的对称结构。

在实施例中，第一外层和第二外层可以具有相同的厚度。

在实施例中，第一外层和第二外层可以具有相同的热膨胀系数。

根据发明构思的一个或更多个实施例，一种掩模组件可以包括：框架，其中限定有开口；支撑部分，位于框架上并与开口叠置；以及掩模，位于支撑部分上并覆盖开口的至少一部分。支撑部分可以包括奇数个基体层，并且基体层可以具有相对于基体层的中心层的对称的热膨胀系数。