[发明专利]一种半导体六边形微米碟激光器在审
| 申请号： | 202010079229.4 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111162453A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 曹冰;何耿;王钦华;熊先杰;袁志豪;周浩;罗安林;陈王义博;徐立跃 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/10;H01S5/183 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 王利斌 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 六边形 微米 激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体六边形微米碟激光器，其特征在于包括：反射衬底，半导体六边形微米碟，激光器；所述半导体六边形微米碟设置在所述反射衬底上；激光器的出射光垂直于半导体六边形微米碟表面，且照射在半导体六边形微米碟的六个边角之中任意一个边角处；所述半导体六边形微米碟的侧壁均为平面，其中一个侧壁为前腔，其余五个侧壁为后腔；所述后腔表面均设置有分布式布拉格反射层，双三角回音壁光谐振模式的激光从前腔出射。
2.根据权利要求1所述的一种半导体六边形微米碟激光器，其特征在于：所述半导体六边形微米碟与所述反射衬底之间也设置分布式布拉格反射层。
3.根据权利要求1所述的一种半导体六边形微米碟激光器，其特征在于：所述半导体六边形微米碟中沿着横截面方向设置若干层量子阱结构。
4.根据权利要求3所述的一种半导体六边形微米碟激光器，其特征在于：所述的量子阱结构包括：GaXIn(1-X)N、AlXGa(1-X)N、GaXIn(1-X)As、AlXGa(1-X)As，其中X∈(0，1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010079229.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
