[发明专利]抗蚀剂组成物及图案形成方法

说明书

本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供在以KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束、极端紫外线等高能射线作为光源的光刻中，光透射性、酸扩散抑制能力优异，DOF、LWR、MEF等光刻性能优异的抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种抗蚀剂组成物，包含(A)由下列式(1)表示的锍盐构成的光酸产生剂、(B)对显影液的溶解性会因酸的作用而变化的基础聚合物、及(C)有机溶剂。

技术领域

本发明关于包含既定的光酸产生剂的抗蚀剂组成物及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。

背景技术

近年来，伴随LSI的高整合化与高速化，要求图案规则的微细化，随着逐渐要求高分辨率的抗蚀剂图案，除了须改善图案形状、对比度、掩膜误差因子(Mask Error Factor(MEF))、焦点深度(Depth of Focus(DOF))、尺寸均匀性(Critical Dimension Uniformity(CDU))、线宽粗糙度(Line Width Roughness(LWR))等所代表的光刻特性外，还须进一步改善显影后的抗蚀剂图案的缺陷(表面缺陷)。

作为光刻性能的改善方式之一，可列举利用光酸产生剂的修饰、结构最适化所为的酸扩散的抑制、溶剂溶解性的调整。已知使用了对于曝光波长透射性高的阳离子，例如专利文献1、专利文献2揭示的阳离子的抗蚀剂获得DOF性能良好的结果。又，具有立体上庞大的结构、极性基团的光酸产生剂会抑制产生的酸的扩散，可期待改善MEF、LWR等光刻性能。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本专利第4621806号公报

[专利文献2]日本特开2014-122204号公报

发明内容

发明要解决的问题

对于近年来的高分辨率的抗蚀剂图案的要求，使用了已知的光酸产生剂的抗蚀剂组成物有时会有DOF、CDU、LWR、MEF等光刻性能未必能令人满意的情况。如前述的使用了透射性高的阳离子的抗蚀剂组成物虽展现出DOF的改善效果，但在LWR、MEF等光刻性能方面有时未必能获得令人满意的结果。

本发明是鉴于前述事实而成的，目的为提供在以KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束(EB)、极端紫外线(EUV)等高能射线作为光源的光刻中，光透射性、酸扩散抑制能力优异，DOF、CDU、LWR、MEF等光刻性能优异的抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。

用于解决问题的方案

本案发明人等为了达成前述目的努力进行研究，结果发现使用将有高透射率的具有特定结构的阳离子、与具有特定结构的阴离子予以组合而得的盐作为光酸产生剂的抗蚀剂组成物具有优异的DOF、LWR、MEF等光刻性能，作为抗蚀剂组成物对于精密的微细加工极为有效，乃至完成本发明。

是以，本发明提供下列抗蚀剂组成物及图案形成方法。

1.一种抗蚀剂组成物，包含：

(A)光酸产生剂，是由下列式(1)表示的锍盐构成的，

(B)基础聚合物，其对显影液的溶解性会因酸的作用而变化，及

(C)有机溶剂；

[化1]

式中，R¹为氢原子、或也可含有杂原子的碳数1～10的1价烃基；R²为也可含有杂原子的碳数1～40的1价烃基；L为单键、醚键或硫醚键；A为氢原子或三氟甲基。