[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

形成包括金属图案的第一结构和位于第一结构上的第二结构，金属图案包括面对第二结构的上表面；

蚀刻第二结构以形成暴露金属图案的过孔；

使过孔中的第一蚀刻残余物氧化，以将第一蚀刻残余物转化为氧化的第一蚀刻残余物；以及

去除氧化的第一蚀刻残余物，

其中，在去除氧化的第一蚀刻残余物之后，金属图案的上表面包括包含凹槽并具有第一表面粗糙度的第一部分以及与第一部分不同并具有第二表面粗糙度的第二部分，并且

第一表面粗糙度比第二表面粗糙度大。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使第一蚀刻残余物氧化的步骤包括使第一蚀刻残余物氧化并在金属图案上形成金属氧化物，并且

所述方法还包括在去除氧化的第一蚀刻残余物之前或之后使金属氧化物还原。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，使金属氧化物还原的步骤包括执行氢等离子体处理工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在去除氧化的第一蚀刻残余物之后，使用包括氨水或硫酸的清洁溶液清洁金属图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在单个工艺室中原位执行蚀刻第二结构的步骤和使第一蚀刻残余物氧化的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在去除氧化的第一蚀刻残余物之后：

在过孔中形成过孔绝缘层；

使过孔中的第二蚀刻残余物氧化，以将第二蚀刻残余物转化为氧化的第二蚀刻残余物；以及

去除氧化的第二蚀刻残余物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，使第二蚀刻残余物氧化的步骤包括使第二蚀刻残余物氧化并在金属图案上形成金属氧化物，并且

所述方法还包括在去除氧化的第二蚀刻残余物之前或之后使金属氧化物还原。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，在单个工艺室中原位执行形成过孔绝缘层的步骤和使第二蚀刻残余物氧化的步骤。

9.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

形成包括金属图案的第一结构和位于第一结构上的第二结构；

蚀刻第二结构以形成暴露金属图案的过孔；

使过孔中的第一蚀刻残余物氧化，以将第一蚀刻残余物转化为氧化的第一蚀刻残余物；以及

去除氧化的第一蚀刻残余物，

其中，使第一蚀刻残余物氧化的步骤包括在金属图案上形成金属氧化物，

所述方法还包括在去除氧化的第一蚀刻残余物之前或之后使金属氧化物还原，并且

在单个工艺室中原位执行蚀刻第二结构的步骤和使第一蚀刻残余物氧化的步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括在去除氧化的第一蚀刻残余物之后：

形成在过孔中延伸的过孔绝缘层；

使过孔中的第二蚀刻残余物氧化，以将第二蚀刻残余物转化为氧化的第二蚀刻残余物；以及

去除氧化的第二蚀刻残余物。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，金属图案包括面对第二结构的上表面，并且

其中，在去除氧化的第一蚀刻残余物之后，金属图案的上表面包括包含凹槽并具有第一表面粗糙度的第一部分以及与第一部分不同并具有第二表面粗糙度的第二部分，并且

第一表面粗糙度比第二表面粗糙度大。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，金属图案包括铜，并且去除氧化的第一蚀刻残余物的步骤包括使用稀氢氟酸执行清洁工艺。

13.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括在去除氧化的第一蚀刻残余物之后，使用包含氨水或硫酸的清洁溶液清洁金属图案的表面。