[发明专利]显示面板及其制造方法在审
申请号: | 202010078862.1 | 申请日: | 2020-02-03 |
公开(公告)号: | CN111540765A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 李昶勳;金旻载;金慜熙;金泰薰;朴卿蕙;朴俊炯;梁丹雨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
提供了一种显示面板及其制造方法。所述显示面板包括上显示基底和下显示基底。上显示基底包括:基体基底;遮光图案,包括限定在遮光图案中的与像素区域对应的开口部分;滤色器,与像素区域叠置;封装层,设置在遮光图案的下侧和滤色器的下侧上;分隔壁,设置在封装层的下侧上,与遮光区域叠置,并且包括限定在分隔壁中的与像素区域对应的分隔壁开口部分;以及量子点层,设置在分隔壁开口部分的内部。分隔壁包括第一层和第二层,第一层直接设置在封装层的底表面上,第二层直接设置在第一层的下侧上并具有比第一层大的光学密度。
技术领域
本公开在此涉及一种显示面板及其制造方法,更具体地,涉及一种包括分隔壁的显示面板及其制造方法。
背景技术
显示面板包括选择性地透射由光源产生的源光的透射显示面板和在其中产生源光的发射显示面板。显示面板可以根据像素包括不同种类的颜色控制层,以产生颜色图像。颜色控制层可以仅使一些波长范围的源光透射或者改变源光的颜色。一些颜色控制层可以在不改变源光的颜色的情况下改变源光的特性。
发明内容
本公开提供了一种其中亮度增大并且防止了颜色混合的显示面板。
本公开还提供了一种其中减少了材料消耗量的制造显示面板的方法。
发明构思的实施例提供了一种显示面板,该显示面板包括上显示基底和下显示基底,上显示基底包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域以及在第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的外围中的遮光区域,下显示基底包括与第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域分别对应的第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件,其中,上显示基底包括:基体基底;遮光图案,设置在基体基底的底表面上,与遮光区域叠置,并且包括限定在其中的与第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域分别对应的第一开口部分、第二开口部分和第三开口部分;第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器,设置在基体基底的底表面上,并且与第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域分别叠置;分隔壁,设置在第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器的下侧上,与遮光区域叠置,并且包括限定在其中的与第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域分别对应的第一分隔壁开口部分、第二分隔壁开口部分和第三分隔壁开口部分;以及第一颜色控制层、第二颜色控制层和第三颜色控制层,分别设置在第一分隔壁开口部分、第二分隔壁开口部分和第三分隔壁开口部分中,其中,分隔壁包括第一层和第二层,第二层直接设置在第一层的下侧上并且具有比第一层的光学密度大的光学密度,并且在剖视图中,第二层的一部分从第一颜色控制层、第二颜色控制层和第三颜色控制层向下突出。
在实施例中,当第二层的厚度为1μm时,第二层的光学密度可以为从大约0.15至大约0.5。
在实施例中,第二层可以包括疏水性区域和设置在疏水性区域与第一层之间的亲水性区域。
在实施例中,第二层可以具有从大约7μm至大约10μm的厚度。
在实施例中,亲水性区域包括基体树脂和与基体树脂混合的黑色着色剂,并且疏水性区域包括化学结合到基体树脂的疏水剂。
在实施例中,疏水性区域可以具有从大约30nm至大约200nm的厚度。
在实施例中,第一颜色控制层、第二颜色控制层和第三颜色控制层中的每个可以具有大约15μm或更大的厚度。
在实施例中,分隔壁的在遮光区域中的高度可以比第一颜色控制层、第二颜色控制层和第三颜色控制层中的每个的高度高。
在实施例中,第一层的厚度可以为从大约5μm至大约15μm,并且第二层的厚度可以为从大约5μm至大约10μm。
在实施例中,第一层的宽度可以为从大约10μm至大约15μm。
在实施例中,在平面图中,第二层可以与第一层完全叠置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的