[发明专利]半导体模块及半导体模块的寿命预测系统

说明书

本发明的目的在于提供能够准确地预测寿命的半导体模块以及该半导体模块的寿命预测系统。本发明涉及的半导体模块具有：IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)；测定电路(5a、5b)，它们对IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的特性进行测定；以及存储器(6)，其对IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的预先确定的特性的初始值、测定电路(5a、5b)所测定出的IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的特性的测定值、IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的预先确定的特性劣化的判定值进行存储。

技术领域

本发明涉及半导体模块及该半导体模块的寿命预测系统。

背景技术

以往公开了如下技术，即，对电梯的驱动系统所包含的电路元件的寿命进行判定、作出应对，而不需要用于寿命判定的特别的传感器(例如，参照专利文献1)。电路元件包含IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)以及二极管。具体地说，通过对逆变器装置所包含的电路元件的电压的测定值和在电梯控制装置中预先设定的电路元件的电压的初始值进行比较，从而对电路元件的寿命进行判定。并且，在初始值与测定值之差超过了预先设定的判定值时，点亮警告灯，对电路元件的寿命将尽这一情况进行警告。

专利文献1：日本特开2011-200033号公报

在专利文献1中，逆变器装置由于经由测定电路而与电梯控制装置连接，因此有可能受到外部干扰的影响，在这种情况下，存在测定的精度下降这一问题。这样，以往，不能说准确地预测出了半导体模块的寿命。

发明内容

本发明就是为了解决上述这样的问题而提出的，其目的在于提供能够准确地预测寿命的半导体模块以及该半导体模块的寿命预测系统。

为了解决上述的课题，本发明涉及的半导体模块具有：至少1个半导体元件；测定电路，其对半导体元件的特性进行测定；以及存储器，其对半导体元件的预先确定的特性的初始值、测定电路所测定出的半导体元件的特性的测定值和半导体元件的预先确定的特性劣化的判定值进行存储。

发明的效果

根据本发明，半导体模块具有：测定电路，其对半导体元件的特性进行测定；以及存储器，其对半导体元件的预先确定的特性的初始值、测定电路所测定出的半导体元件的特性的测定值和半导体元件的预先确定的特性劣化的判定值进行存储，因此能够对半导体模块的寿命准确地进行预测。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的半导体功率模块的寿命预测系统的结构的一个例子的图。

图2是对本发明的实施方式1涉及的半导体功率模块的寿命预测进行说明的图形。

图3是对本发明的实施方式2涉及的半导体功率模块的寿命预测进行说明的图形。

图4是表示本发明的实施方式3涉及的半导体功率模块的寿命预测系统的结构的一个例子的图。

图5是对本发明的实施方式3涉及的半导体功率模块的寿命预测进行说明的图形。

标号的说明

1半导体功率模块，2a、2b IGBT，3a、3b二极管，4控制电路，5a、5b测定电路，6存储器，7MCU，8输入接口，9a、9b驱动电路，10负载，11a、11b变换器，13半导体功率模块，14存储器。

具体实施方式

以下，基于附图，对本发明的实施方式进行说明。

＜实施方式1＞

＜结构＞

图1是表示本实施方式1涉及的半导体功率模块的寿命预测系统的结构的一个例子的图。