[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种制造钝化接触型太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：

(i)制备基片，所述基片包含：

第一半导体层，

位于第一半导体层上的隧道氧化物层，

位于隧道氧化物层上的第二半导体层，

位于第二半导体层上的第一绝缘层，以及

在隧道氧化物层另一侧位于第一半导体层上的第三半导体层，

其中第二半导体层的厚度为0.2-400nm，第一绝缘层包含一个或多个开口；

(ii)在第一绝缘层的开口内施加导电糊料，所述导电糊料包含：

(a)导电粉末，

(b)玻璃料，以及

(c)有机载剂；以及

(iii)烧制所施加的导电糊料，以形成电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电粉末包含银(Ag)、钯(Pd)、含Ag和Pd的合金或其混合物的粉末。

3.根据权利要求1所述的方法，其中隧道氧化物层选自下组：氧化钛、氧化铝、氮化硅、氧化硅、氧化铟锡、氧化锌、碳化硅及其组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二半导体层是硅层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘层选自下组：Si₃N₄、TiO₂及其组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述玻璃料包含30-90重量％的PbO和/或Bi₂O₃、1-50重量％的B₂O₃、0.1-30重量％的SiO₂和0.1-20重量％的Al₂O₃。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述基片还包含位于第三半导体层上的第二绝缘层。

8.一种钝化接触型太阳能电池，其包含：

(i)基片，其包含第一半导体层、位于第一半导体层上的隧道氧化物层、位于隧道氧化物层上的第二半导体层、位于第二半导体层上的第一绝缘层以及在隧道氧化物层另一侧位于第一半导体层上的第三半导体层，其中第一绝缘层包含一个或多个开口，其中第二半导体层的厚度小于20nm；以及

(ii)位于基片上的电极，其中所述电极填充第一绝缘层中的开口并与第二半导体层接触，所述电极包含：(a)金属和(b)玻璃。

9.根据权利要求8所述的钝化接触型太阳能电池，其中所述第一绝缘层选自下组：Si₃N₄、TiO₂及其组合。

10.根据权利要求8所述的钝化接触型太阳能电池，其中所述基片还包含位于第三半导体层上的第二绝缘层。