[发明专利]透明导电性薄膜

说明书

提供能以低温且短时间结晶转化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)和非晶质透明导电层(5)，透明基材(2)含有环烯烃系树脂，非晶质透明导电层(5)能转化为结晶质，非晶质透明导电层(5)的霍尔迁移率超过25.0(cm²/V·s)，将非晶质透明导电层(5)结晶转化后的结晶质透明导电层(6)的霍尔迁移率比非晶质透明导电层(5)的霍尔迁移率大。

技术领域

本发明涉及透明导电性薄膜、详细而言涉及适合用于光学用途的透明导电性薄膜。

背景技术

以往以来，具备由铟锡复合氧化物形成的透明导电层的透明导电性薄膜被用于图像显示装置内的触摸面板用基材等。

例如，专利文献1中公开了一种透明导电性薄膜，其具备：高分子薄膜、和由铟-锡复合氧化物形成的非晶质透明导电层。对于专利文献1的透明导电性薄膜，作为高分子薄膜基材，使用了耐热性及机械强度优异的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。而且，通过150℃、60分钟的高温处理，将非晶质透明导电层结晶转化从而提高透明导电性薄膜的导电性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-71850号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，近年来，由于透明性高、双折射率低，因此透明基材使用了聚环烯烃(COP)薄膜的透明导电性薄膜的要求正在提高。

但是，COP薄膜与PET薄膜相比，耐热性低、并且容易热膨胀。因此，若在150℃的高温下实施60分钟的长时间的加热处理，则有时COP薄膜会产生熔解等热损伤、或因COP薄膜的热膨胀而在配置于其上侧的ITO产生裂纹。因此，使非晶质透明导电层结晶转化时，要求以尽可能低温并且短时间进行加热处理。

本发明提供能以低温且短时间结晶转化的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

本发明[1]包含一种透明导电性薄膜，其具备：透明基材、和配置于透明基材的厚度方向一侧的非晶质透明导电层，前述透明基材含有环烯烃系树脂，前述非晶质透明导电层能转化为结晶质，前述非晶质透明导电层的霍尔迁移率超过25.0(cm²/V·s)，将前述非晶质透明导电层结晶转化后的结晶质透明导电层的霍尔迁移率比前述非晶质透明导电层的霍尔迁移率大。

本发明[2]包含[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述结晶质透明导电层的载流子密度不足90.0×10¹⁹(/cm³)。

本发明[3]包含[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述非晶质透明导电层含有铟系无机氧化物。

本发明[4]包含[3]所述的透明导电性薄膜，其中，前述非晶质透明导电层在厚度方向具备：杂质无机元素相对于铟的质量比为0.05以上的第1区域、和杂质无机元素相对于铟的质量比不足0.05的第2区域。

发明的效果

利用本发明的透明导电性薄膜，能够以低温且短时间使非晶质透明导电层结晶转化。

附图说明

图1示出本发明的透明导电性薄膜的一实施方式的截面图。

图2示出将图1所述的透明导电性薄膜结晶转化所得的结晶质透明导电性薄膜的截面图。

附图标记说明

1 透明导电性薄膜