[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202010075105.9 申请日: 2020-01-22
公开(公告)号: CN111244326A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 张扬;周斌;丁远奎;宋嘉文;罗志文;王庆贺 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;张博
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: oled 显示 及其 制作方法 显示装置
【说明书】:

发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。OLED显示基板,包括位于衬底基板上的驱动薄膜晶体管、阳极、发光层和阴极,所述阳极与所述驱动薄膜晶体管之间间隔有绝缘层,所述阳极通过贯穿所述绝缘层的阳极过孔与所述驱动薄膜晶体管的输出电极连接,所述阳极远离所述衬底基板一侧的表面的段差小于阈值。本发明的技术方案能够提高OLED显示产品的像素开口率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

OLED(有机电致发光二极管)显示器件因其高对比度、自发光等优点逐渐成为显示行业发展主流。

在OLED显示器件中,形成钝化层后,会形成一层平坦层,并在平坦层上制作阳极等后续膜层,平坦层可以保证后续蒸镀发光材料或者打印发光材料的均一性,从而保证显示效果,但是由于阳极过孔处存在凹坑,为了保证后续蒸镀发光材料或者打印发光材料的均一性,像素开口区需要避开阳极过孔,这就大大限制了像素开口区的大小,使像素开口率较低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,能够提高OLED显示产品的像素开口率。

为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:

一方面,提供一种OLED显示基板,包括位于衬底基板上的驱动薄膜晶体管、阳极、发光层和阴极,所述阳极与所述驱动薄膜晶体管之间间隔有绝缘层,所述阳极通过贯穿所述绝缘层的阳极过孔与所述驱动薄膜晶体管的输出电极连接,所述阳极远离所述衬底基板一侧的表面的段差小于阈值。

可选地,所述阳极远离所述衬底基板一侧的表面的段差为0。

可选地,所述绝缘层包括:

位于所述驱动薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的钝化层;

位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的平坦层;

所述阳极包括:

位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧的第一阳极图形,所述第一阳极图形通过所述阳极过孔与所述驱动薄膜晶体管的输出电极连接,所述第一阳极图形包括位于所述阳极过孔内的第一部分和除所述第一部分之外的第二部分;

位于所述第一部分远离所述衬底基板一侧的平坦图形,所述平坦图形在所述衬底基板上的正投影落入所述阳极过孔在所述衬底基板上的正投影内,所述平坦图形远离所述衬底基板一侧的表面与所述第二部分远离所述衬底基板一侧的表面齐平;

位于所述第一阳极图形远离所述衬底基板一侧的第二阳极图形,所述第二阳极图形与所述第二部分接触,所述第一阳极图形在所述衬底基板上的正投影与所述第二阳极图形在所述衬底基板上的正投影重合。

可选地,所述第一阳极图形采用MoAl,所述第二阳极图形采用ITO。

可选地,所述阳极还包括:

位于所述第二阳极图形远离所述衬底基板一侧的第三阳极图形,所述第三阳极图形与所述第二阳极图形接触,所述第二阳极图形在所述衬底基板上的正投影与所述第三阳极图形在所述衬底基板上的正投影重合。

可选地,所述第一阳极图形采用Mo,所述第二阳极图形采用Al,所述第三阳极图形采用ITO。

本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的OLED显示基板。

本发明实施例还提供了一种OLED显示基板的制作方法,包括:

在衬底基板上形成驱动薄膜晶体管;

在所述驱动薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧形成绝缘层,所述绝缘层包括有阳极过孔;

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