[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包含：

第一半导体裸片，其包括第一接合衬垫及第二接合衬垫；

第二半导体裸片，其包括第三接合衬垫及第四接合衬垫；

介电层，其覆盖所述第一半导体裸片及所述第二半导体裸片，且界定暴露所述第一接合衬垫及所述第二接合衬垫的第一开口及暴露所述第三接合衬垫及所述第四接合衬垫的第二开口；

第一重布层，其位于所述介电层上，且电连接所述第一接合衬垫与所述第三接合衬垫；及

第二重布层，其位于所述介电层上，且电连接所述第二接合衬垫与所述第四接合衬垫。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体裸片进一步包括第一钝化层，其环绕及暴露所述第一接合衬垫及所述第二接合衬垫，其中所述第一钝化层的一部分位于所述介电层的所述第一开口中。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一重布层包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述介电层上，且所述第二部分位于所述第一开口中且接触所述第一接合衬垫及所述第一钝化层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一重布层进一步包括第三部分，其连接所述第一部分与所述第二部分，且所述第三部分位于所述介电层的表面及所述第一开口的侧壁上。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述介电层进一步界定邻近于所述第二开口的第三开口，且所述第一重布层的所述第一部分位于所述介电层的在所述第二开口与所述第三开口之间的一部分上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包含封装体，其覆盖所述第一半导体裸片的至少一部分、所述第二半导体裸片的至少一部分及所述介电层的至少一部分。

7.一种半导体装置，其包含：

半导体裸片，其具有表面且包括：

第一接合衬垫，其邻近于所述半导体裸片的所述表面；

第二接合衬垫，其邻近于所述半导体裸片的所述表面；及

第一钝化层，其邻近于所述半导体裸片的所述表面，且环绕及暴露所述第一接合衬垫及所述第二接合衬垫；

介电层，其覆盖所述半导体裸片，且界定第一开口及测量开口，所述第一开口暴露所述第一接合衬垫及所述第二接合衬垫，所述测量开口位于非接合衬垫区中。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述测量开口暴露所述半导体裸片的所述表面上的第一钝化层的一部分。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述测量开口位于对应于所述半导体裸片的外部的位置处。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述测量开口的深度大致上等于所述第一开口的深度。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其进一步包含：

第一重布层，其位于所述介电层上且延伸至所述第一开口中以电连接所述第一接合衬垫；及

测量电路，其位于所述介电层上且延伸至所述测量开口中。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述测量电路包括叉指形结构。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其进一步包含：

第二重布层，其位于所述介电层上且延伸至所述第一开口中以电连接所述第二接合衬垫；

其中所述测量电路包括至少两个导电片段，且所述测量电路的所述导电片段之间的间隙大致上等于或小于所述介电层上的所述第一重布层与所述第二重布层之间的间隙。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述测量电路的所述导电片段彼此分离。