[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 202010074944.9 申请日: 2020-01-22
公开(公告)号: CN111244168B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 胡迎宾;赵策;丁远奎;王明;宋威;宋嘉文;苏同上;闫梁臣 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/786;H10K59/121;H01L21/34;H01L21/44
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置
【说明书】:

发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可改善因光照影响薄膜晶体管的特性的问题。一种显示基板,包括衬底、依次设置于衬底上的缓冲层和薄膜晶体管;薄膜晶体管包括依次层叠设置于衬底上的有源层、栅绝缘层、以及栅极;其中,有源层沿第一方向延伸;有源层包括沟道区,栅极在衬底上的正投影为栅极区;沿与第一方向垂直的第二方向,栅极区的边沿超出沟道区的边沿;第一方向和第二方向与衬底的厚度方向垂直;在栅极区超出沟道区的区域,缓冲层背离衬底的表面具有第一凹槽。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展,大尺寸的8K显示屏为未来重点开发研究的产品之一。

由于面板的集成度的进一步提高,背板各个膜层将排列为规则性的微结构。一方面,这种微结构会对环境光进行散射,部分散射光从显示区的子像素区域散射至显示区的非子像素区域,从而照射到薄膜晶体管的有源层上;另一方面,各个膜层的折射率不相同,部分环境光经过多次折射后,也可能从显示区的子像素区域折射至显示区的非子像素区域。

而有源层受到光照后,将会影响薄膜晶体管的特性。尤其是像素电路中的驱动晶体管,在光的作用下,驱动晶体管的阈值电压会发生漂移,从而导致显示面板产生低灰阶发亮的现象。

发明内容

本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,可改善因光照影响薄膜晶体管的特性的问题。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

第一方面,提供一种显示基板,包括衬底、依次设置于所述衬底上的缓冲层和薄膜晶体管;所述薄膜晶体管包括依次层叠设置于所述衬底上的有源层、栅绝缘层、以及栅极;其中,所述有源层沿第一方向延伸;所述有源层包括沟道区,所述栅极在所述衬底上的正投影为栅极区;沿与所述第一方向垂直的第二方向,所述栅极区的边沿超出所述沟道区的边沿;所述第一方向和所述第二方向与所述衬底的厚度方向垂直;在所述栅极区超出所述沟道区的区域,所述缓冲层背离所述衬底的表面具有第一凹槽。

可选的,所述显示基板还包括设置于所述栅极背离所述衬底一侧的层间绝缘层、源极和漏极;所述有源层还包括位于所述栅极区两侧的源极区和漏极区;所述源极和所述漏极在所述衬底上的正投影为源漏区,所述源漏区覆盖所述源极区和所述漏极区。

可选的,沿所述第二方向,源漏区的边沿超出所述源极区和所述漏极区的边沿;在所述源漏区超出所述源极区和所述漏极区的区域,所述缓冲层背离所述衬底的表面具有第二凹槽,和/或,所述层间绝缘层背离所述衬底的表面具有第三凹槽。

可选的,所述沟道区和所述第一凹槽在所述衬底上的正投影所在的区域具有间隔。

可选的,D1=DGI+Dg-Da;其中,D1为所述第一凹槽的深度,DGI为所述栅绝缘层的厚度,Dg为所述栅极的厚度,Da为所述有源层的厚度。

可选的,D2=DSD+DILD+DGI+Dg-Da;其中,D2为所述第二凹槽与所述第三凹槽的深度和,DSD为所述源极和所述漏极的厚度,DILD为所述层间绝缘层的厚度,DGI为所述栅绝缘层的厚度,Dg为所述栅极的厚度,Da为所述有源层的厚度。

可选的,所述显示基板还包括设置于所述衬底与所述薄膜晶体管之间的遮光层,所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述薄膜晶体管在所述衬底上的正投影。

第二方面,提供一种显示装置,包括第一方面所述的显示基板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010074944.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top